DMN2300U-7
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
950mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
1.6 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
175mOhm @ 300mA, 4.5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.8V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
64.3 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
SOT-23-3
Mfr:
Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.24A (Ta)
Power Dissipation (Max):
430mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
DMN2300
Introducción
N-canal 20 V 1.24A (Ta) 430mW (Ta) Montado de superficie SOT-23-3
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