Se trata de una serie de medidas de seguridad.
fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
13.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
25mOhm @ 5.8A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
641 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
SOT-23-3
Mfr:
Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.2A (Ta)
Power Dissipation (Max):
780mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
DMG3404
Introducción
N-Canal 30 V 4.2A (Ta) 780mW (Ta) Montaje de superficie SOT-23-3
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