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FET de RF y MOSFET
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Las condiciones de los servicios de seguridad |
BLF244 - VDM de potencia de empuje-retirada de VHF
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Rochester Electronics, LLC. El nombre de la empresa es Rochester.
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AFT21S230SR3 y sus componentes |
FET RF 65V 2,11 GHz NI780S-6
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NXP EE.UU. Inc.
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PD55003 |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
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STMicroelectrónica
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Se trata de un documento de identificación. |
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de
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Rochester Electronics, LLC. El nombre de la empresa es Rochester.
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Las condiciones de los servicios de seguridad |
RF PFET, 1-ELEMENTO, muy alto F
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Ampleon USA Inc.
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Las condiciones de los servicios de seguridad |
BLF177 - HF/VHF POWER VDMOS Trans
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Rochester Electronics, LLC. El nombre de la empresa es Rochester.
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Las condiciones de los servicios de seguridad |
RF PFET, 1-ELEMENTO, muy alto F
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Ampleon USA Inc.
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
Serial de accionamiento NCH+NCH de 2,5 V
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En el caso de las
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Las condiciones de los servicios de seguridad |
El número de señales de radio de la señal de radio de la señal de radio
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Ampleon USA Inc.
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán a los vehículos de motor. |
Serial de unidades de 4V PCH
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
RF MOSFET N-CHANNEL DE150
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IXYS-RF
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
RF MOSFET N-CHANNEL DE475
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IXYS-RF
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Se trata de un producto de fabricación que se utiliza para la fabricación de productos químicos. |
RF MOSFET N-CHANNEL DE375
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IXYS-RF
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
RF MOSFET N-CHANNEL DE275
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IXYS-RF
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Se trata de un proyecto de investigación. |
FET RF 2CH 65V 1,91 GHz NI780S-4
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NXP EE.UU. Inc.
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET de RF LDMOS DL 28V TO272-4
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NXP EE.UU. Inc.
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
FET RF 65V 945MHZ NI-360
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NXP EE.UU. Inc.
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Se aplicará el método de ensayo. |
FET RF 68V 1,99 GHz NI-780
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NXP EE.UU. Inc.
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Se aplicará el método de ensayo. |
FET RF 65V 1,51 GHz NI780
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NXP EE.UU. Inc.
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
FET RF 66V 880MHZ NI-780: las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inverna
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NXP EE.UU. Inc.
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MMBF4416 |
Se aplicará el método de medición de la velocidad.
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En el caso de las
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MRF282ZR1 |
FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
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NXP EE.UU. Inc.
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MRF6VP3450HR6 |
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
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NXP EE.UU. Inc.
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
FET RF 110V 220MHZ TO-270-4
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NXP EE.UU. Inc.
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MRF1517NT1 |
FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5
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NXP EE.UU. Inc.
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MRF1513NT1 |
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
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NXP EE.UU. Inc.
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PD84001 |
FET RF 18V 870 MHz
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STMicroelectrónica
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PD85004 |
FET RF 40V 870MHZ
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STMicroelectrónica
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Se trata de una serie de pruebas. |
FET RF 40V 175MHZ PLD-1 y el resto de los componentes.5
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NXP EE.UU. Inc.
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MRFE6S9045NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO-270-2
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NXP EE.UU. Inc.
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Se trata de la siguiente: |
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
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NXP EE.UU. Inc.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
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NXP EE.UU. Inc.
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DU28200M |
Transistores, MOSFET, 200W, 28V, 2-175
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Soluciones tecnológicas MACOM
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NE3515S02-T1C-A |
HJ SUPER BAJO RUIDO PSEUDOMORFO
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El CEL
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PD55003-E |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
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STMicroelectrónica
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MRFE6VP61K25HR5 |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
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NXP EE.UU. Inc.
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VRF2933MP |
MOSFET RF N-CANAL 50V M177
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Tecnología de microchips
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Las condiciones de los productos |
MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
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Tecnología de microchips
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
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NXP EE.UU. Inc.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
FET RF 68V 960MHZ TO270-2
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NXP EE.UU. Inc.
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MRF6VP3450HR5 |
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
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NXP EE.UU. Inc.
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AFT09MS031NR1 |
FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
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NXP EE.UU. Inc.
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MRFE6VP100HR5 |
MOSFET de RF LDMOS 50V NI780-4
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NXP EE.UU. Inc.
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MRFE6S9060NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO270-2
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NXP EE.UU. Inc.
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Las demás: |
FET RF N-CH 500V 14A a 247
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Tecnología de microchips
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AFT27S006NT1 |
MOSFET de RF LDMOS 28V PLD1.5W
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NXP EE.UU. Inc.
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MRFE6VP6300HR5 |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
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NXP EE.UU. Inc.
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PD55003L-E |
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
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STMicroelectrónica
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AFT27S010NT1 y sus componentes |
La frecuencia de radio de la FET NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
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NXP EE.UU. Inc.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
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STMicroelectrónica
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