Filtros
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Semiconductores discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET de 500V a 1200V MOSFET de potencia polar
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IXYS
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IPD50N04S4-08 |
MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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3LP01M-TL-E: el número de unidades |
MOSFET NCH Serie de accionamiento de 1,5 V
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En el caso de las
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IPA65R660CFD (en inglés) |
MOSFET N-Ch 700V 6A TO220FP CoolMOS CFD2 y otros componentes de la misma
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 74 Amperios 200V 0.034 Rds
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IXYS
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SI7315DN-T1-GE3 |
MOSFET -150V.315ohm@-10V -8.9A P-Ch T-FET
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad. |
MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1 y sus componentes
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Nexperia
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BSS84AKS, 115 |
MOSFET P-CH -50 V -160 ma
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Nexperia
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IRFB7437PBF |
MOSFET 40V 2,0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará a las empresas de servicios de telecomunicaciones de la Unión. |
MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 COOLMOS CP y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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SQ2361ES-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Calificado
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Siliciox / Vishay
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NX3008NBK,215 |
MOSFET 30V 400 MA N-CH MOSFET de tramo
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Nexperia
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor, el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor será igual al 0,5% en el caso de los vehículos de motor. |
MOSFET -30V 2,6mOhm@10V 60A P-Ch G-III
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Vishay Semiconductores
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SPP11N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 800V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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Semiconductor Fairchild
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FCD850N80Z |
MOSFET SuperFET2 800V 850mOhm Zener
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En el caso de las
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FQP6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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Semiconductor Fairchild
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SI4850EY-T1-E3 |
MOSFET 60 Voltios 8,5 Amperios 3,3 W
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Vishay Semiconductores
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FQB9P25TM |
MOSFET 250V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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FDMC8884 |
MOSFET 30V Fosa de energía de canal N
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Semiconductor Fairchild
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SI4431CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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SI3585CDV-T1-GE3 |
MOSFET 20 Voltios 3,9 Amperios 1,4 vatios
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Vishay Semiconductores
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El número de unidades de seguridad de la aeronave |
MOSFET 26 Amperios 1200 V
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IXYS
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Se trata de la ATP113-TL-H. |
Dispositivo de conmutación de MOSFET
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En el caso de las
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SUM10250E-GE3 |
MOSFET N Ch 250 Vds 20 Vgs
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Siliciox / Vishay
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 500V 16A: el número de unidades de carga de la unidad de carga
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IXYS
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IRFP064PBF |
MOSFET N-Chan 60V 70 Amp
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Vishay Semiconductores
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SI4532CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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FQA90N15 |
MOSFET 150V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FDA59N30 |
MOSFET del MOSFET 500V NCH
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Semiconductor Fairchild
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FQP22N30: las condiciones de los productos |
MOSFET 300V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FQP4P40 |
MOSFET 400V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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FQP70N10 |
MOSFET 100V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FDMC86260 |
MOSFET NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET el cual se encuentra en el centro de la red
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En el caso de las
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FDMC86139P |
MOSFET PT5 100V/25V Pch Trench de potencia Mosfet
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Semiconductor Fairchild
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Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I. |
MOSFET 800V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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Semiconductor Fairchild
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FQB12P20TM |
MOSFET 200V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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IRF840APBF |
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
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Vishay Semiconductores
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FQT4N20LTF |
MOSFET 200V único
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Semiconductor Fairchild
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SI2307CDS-T1-GE3 |
MOSFET 30V 2.7A 1.8W 88 mohms @ 10V
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Vishay Semiconductores
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NTZD3154NT1G |
MOSFET 20V 540mA con doble canal N y ESD
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En el caso de las
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NX7002BKR |
MOSFET 60V MOSFET de zanja de canal N
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Nexperia
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET doble N-Ch 30V Vds 7.1nC Tipo de Qg
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Siliciox / Vishay
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El número de unidades de producción es: |
MOSFET L2 MOSFET de potencia lineal
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 650V 30A TO220-3 COOLMOS C6
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Tecnologías Infineon
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50%, el valor de las emisiones de CO2 será inferior al 20% en el caso de las emisiones de CO2. |
MOSFET 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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SI1016X-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4,5V
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
MOSFETOS MOSFETOS diferenciados
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Tecnologías Infineon
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IPA60R190C6 y sus derivados |
MOSFET N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6 y otros componentes de la misma
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET MV POWER MOS
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Tecnologías Infineon
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