Filtros
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Semiconductores discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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FQP3P20 |
MOSFET 200V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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FDC2512 |
MOSFET 150V NCh PowerTrench (Tranqueador de energía de la red eléctrica)
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Semiconductor Fairchild
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión. |
MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190 mohms @ 10V
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Vishay Semiconductores
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SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Calificado
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Siliciox / Vishay
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Se aplican las siguientes medidas: |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction de la clase X2
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IXYS
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SI4488DY-T1-E3 |
MOSFET 150V 5A 3,1 W
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Vishay Semiconductores
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IRFS4227TRLPBF |
MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
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Tecnologías Infineon
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SI5515CDC-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4A / 4A N y P-CH MOSFET
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Vishay Semiconductores
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SI7119DN-T1-E3 |
MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05 ohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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IPP65R190CFD |
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 CoolMOS CFD2 y otros componentes de la tecnología
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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SPA20N60C3 |
MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 y otros componentes de la misma
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Tecnologías Infineon
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IRFP4110PBF |
MOSFET MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg y también
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 100V 75A N-Chan PowerTrench (Tranqueador de energía de N-Chan)
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Semiconductor Fairchild
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FQP17N40: las condiciones de los productos |
MOSFET 400V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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STD3PK50Z |
MOSFET P-Ch 500V 3 Ohm 2.8A Zener SuperMESH El sistema de transmisión de energía de la red de la red
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STMicroelectrónica
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BSS138DW-7-F |
MOSFET 50V 200mW
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Diodos incorporados
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BSS138W-7-F |
MOSFET 50V 200mW
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Diodos incorporados
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2N7000TA |
MOSFET 60V de canal N Sm Sig
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Semiconductor Fairchild
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Se aplicará el método de ensayo de la norma de la N-CHAN.
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET -90.0 Amperios -200V 0.044 Rds
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IXYS
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
MOSFET 230A 200V
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IXYS
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Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos. |
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3 para el uso en las instalaciones de las empresas de telecomunicacione
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Tecnologías Infineon
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SI4848DY-T1-GE3 |
MOSFET 150V 3.7A 3.0W 85mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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SI4134DY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 14A 5.0W
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Vishay Semiconductores
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IRF100B201 |
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4,2 mOhm, 170 nC Qg, el cual es el más potente
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IR/Infineon
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SI7336ADP-T1-E3 |
MOSFET 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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SI1902DL-T1-E3 |
MOSFET 20V 0,70A, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
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Vishay Semiconductores
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IRFP460APBF |
MOSFET N-Chan 500V 20 Amp
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Vishay Semiconductores
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Las condiciones de los certificados deberán ser las siguientes: |
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET y sus componentes
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Semiconductor Fairchild
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FDMC7570S: el número de unidad |
MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET y otros sistemas de transmisión de energía
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Semiconductor Fairchild
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FDD6688 |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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Semiconductor Fairchild
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IRF540PBF |
MOSFET N-Chan 100V 28 Amp
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Vishay Semiconductores
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FDS4465 |
MOSFET SO-8
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Semiconductor Fairchild
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FDS6298 y demás |
MOSFET 30V N-CH conmutador rápido PwrTrenCH MOSFET
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Semiconductor Fairchild
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BSC010N04LS |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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Tecnologías Infineon
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea |
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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FDS6576: las condiciones de los productos |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC y sus componentes
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En el caso de las
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FQP50N06 |
MOSFET N-CH 60V 50A hasta 220
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En el caso de las
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IRFS7530TRLPBF |
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades |
MOSFET 32 Amperios 500V 0,15 Rds
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IXYS
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TK4P60DB |
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
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toshiba
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El DMTH6005LK3Q-13 |
Se aplican las siguientes medidas:
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Diodos incorporados
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IPP023N10N5 |
MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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El número de personas a las que se refiere el presente Reglamento es el siguiente: |
MOSFET CANAL N 80V PowerPAK SO-8
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Siliciox / Vishay
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BSC016N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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SI7615ADN-T1-GE3 |
MOSFET -20V 4,4mOhm@10V 35A P-Ch G-III
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Vishay Semiconductores
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NCV8402ADDR2G |
MOSFET 42V2A
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En el caso de las
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FQPF8N60C |
MOSFET 600V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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Semiconductor Fairchild
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