Filtros
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Semiconductores discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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IPW60R037P7 |
MOSFET ALTO POWER_NEW
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 20V MOSFET de canal de trincheras en P
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Nexperia
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Las condiciones de los vehículos de las categorías M1 y M2 no se aplicarán. |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 COOLMOS C3
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Tecnologías Infineon
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FDMC86102 |
MOSFET 100 / 20V N-Chan PowerTrench (Tranqueo de energía de N-Chan)
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Semiconductor Fairchild
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Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes: |
MOSFET de potencia MOSFET - CoolMOS
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Las demás
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TPH1400ANH,L1Q: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
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toshiba
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IRF7103TRPBF |
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de l
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Tecnologías Infineon
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FDC637AN |
MOSFET SSOT-6 N-CH 20 V
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Semiconductor Fairchild
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Rds rojo
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2 y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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IPB180N04S4-H0 |
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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IRF9540NSTRRPBF (en inglés) |
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 117 mOhms 64.7nC
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Tecnologías Infineon
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Los servicios de la Oficina de Asuntos Exteriores |
MOSFET N Canal FET 250V, 360mA
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Circuitos integrados IXYS
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en el anexo I. |
MOSFET 40V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH
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Vishay Semiconductores
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IRF7342TRPBF |
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de l
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IR/Infineon
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FDG6332C |
MOSFET 20V Fosa de energía de canal N&P
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En el caso de las
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será inferior al 0,9%. |
MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
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Vishay Semiconductores
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Si el producto no es compatible con la norma ISO 7638:2003, se utilizará el método siguiente: |
MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 20A N-Ch G-IV
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Vishay Semiconductores
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al valor de las emisiones de CO2. |
MOSFET 8.0V 1.34A 0.236W 86mohm @ 4.5V
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Vishay Semiconductores
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IRFBC40PBF |
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
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Vishay Semiconductores
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SI9926CDY-T1-GE3 |
MOSFET 20V 8.0A 3.1W 18mohm @ 4.5V
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Vishay Semiconductores
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MTI85W100GC: el número de unidades |
MOSFET Puente completo de 3 fases con MOSFETs de zanja
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IXYS
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FDS6680AS: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B |
MOSFET 30V N-Canal PowerTrench SyncFET, el cual tiene una potencia de 30 V
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Semiconductor Fairchild
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SI9435BDY-T1-E3 |
MOSFET 30V 5.7A 0.042 Ohm, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de luz
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Vishay Semiconductores
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ZXMP4A16GTA |
MOSFET 40V P-Chnl UMOS
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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IRL7486MTRPBF |
Solo canal N HEXFET del MOSFET 40V
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IR/Infineon
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SPW32N50C3 |
MOSFET N-Ch 560V 32A TO247-3 COOLMOS C3 y otros componentes de la misma
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Tecnologías Infineon
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FCH76N60NF |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS y otros productos de la industria de la energía
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Semiconductor Fairchild
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de lo |
MOSFET N-Chan 600V 27 Amp
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Vishay Semiconductores
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IPW65R080CFD |
MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2 y otros componentes de la tecnología de la información
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Tecnologías Infineon
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IPW60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3 COOLMOS C6
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos. |
MOSFET N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6 y otros dispositivos de la misma clase
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Tecnologías Infineon
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FDA50N50 |
MOSFET del MOSFET 500V NCH
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Semiconductor Fairchild
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FDPF18N20FT |
MOSFET UniFET 200 V
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Semiconductor Fairchild
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FDD86540 |
MOSFET 60V 50A 4.1 ohm NCh PowerTrench MOSFET
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Semiconductor Fairchild
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BSC014N04LS |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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Tecnologías Infineon
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SIA906EDJ-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4.5A 7.8W 46mohm @ 4.5V
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Vishay Semiconductores
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SI2371EDS-T1-GE3 |
MOSFET -30V 45mOhm@10V -4.8A P-Ch G-III y otros componentes de los mismos
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Vishay Semiconductores
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el PMV213SN,215 |
Se aplicará el método de ensayo de la TEP13 PWR-MOS
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Nexperia
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BSS138PS, 115 |
MOSFET N-CH 60 V y 320 mA
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Nexperia
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BSC014N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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FDY1002PZ |
MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6
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En el caso de las
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FDMB3800N |
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
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En el caso de las
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FDD8424H |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
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En el caso de las
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IRF7341TRPBF |
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
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Tecnologías Infineon
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FDS89161 |
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
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En el caso de las
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FDMQ8403 |
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP, para el cual se utiliza el módulo 4N-CH
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En el caso de las
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DMN26D0UDJ-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
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Diodos incorporados
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DMG1024UV-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
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Diodos incorporados
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