Filtros
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Semiconductores discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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FDN5630 |
MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 y sus componentes
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 y sus componentes
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Diodos incorporados
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FDG316P |
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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ZXM61N03FTA |
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 y sus componentes
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Diodos incorporados
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NTD5867NLT4G |
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK: el número de unidades de energía de la unidad de energía de la unidad de e
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En el caso de las
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NTD3055L104T4G |
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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En el caso de las
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ZXMP6A13FQTA |
MOSFET P-CH 60V 0,9A SOT23-3 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los vehículos de la categoría M1 y M2. |
MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2
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En el caso de las
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DMP10H400SK3-13 |
MOSFET P-CH 100V 9A TO252 y otros componentes de la misma
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Diodos incorporados
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IRFL4315TRPBF |
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
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Tecnologías Infineon
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FQD11P06TM |
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
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En el caso de las
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CSD19534Q5A |
MOSFET N-CH 100V 50 8SON
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Las acciones de Texas Instruments
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IRF7820TRPBF |
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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FDS3672 |
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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IRFR6215TRPBF |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
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Tecnologías Infineon
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ZXMP10A18KTC |
MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK, para el cual se utiliza el módulo DPAK.
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Diodos incorporados
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FDS2572 |
MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC y el resto de los componentes
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En el caso de las
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ZXMP10A18GTA |
MOSFET P-CH 100V 2,6A SOT223 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
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Diodos incorporados
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FDS6681Z |
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO
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En el caso de las
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Las condiciones de las pruebas de seguridad deberán ser las siguientes: |
MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN y el resto de los componentes
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En el caso de las
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IRF5210STRLPBF |
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los vehículos de la categoría M1 y M2 |
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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En el caso de las
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FDB44N25TM |
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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FDB8441 |
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK y el resto de los componentes
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En el caso de las
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FDB3632 |
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
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En el caso de las
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FDB075N15A |
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
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En el caso de las
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FQP3P50 |
MOSFET P-CH 500V 2.7A hasta 220
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor |
MOSFET P-CH 60V de 30A a 220F
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En el caso de las
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STW15NK90Z |
MOSFET N-CH 900V 15A a 247
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STMicroelectrónica
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor y de los vehículos de motor |
MOSFET N CH 600V 77A hasta 247
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En el caso de las
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Se trata del DMN6140LQ-7. |
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de la calidad. |
MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 y sus componentes
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En el caso de las
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FDC654P |
MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6 y sus componentes
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En el caso de las
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DMP3056LSS-13 |
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC, para el cual se utilizará el módulo MOSFET
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Diodos incorporados
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Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B son las siguientes: |
MOSFET N-CH 100V SOT-223-4: las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto invern
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En el caso de las
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DMN6040SVT-7 |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.
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Diodos incorporados
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FDS9431A: el número de unidades |
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC, para el cual se utiliza un sistema de control de velocidad.
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En el caso de las
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DMP4050SSS-13 y sus componentes |
MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO
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Diodos incorporados
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FDD6N20TM |
MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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NTD20P06LT4G |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
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En el caso de las
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FDD8896 y sus derivados |
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK y sus componentes
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En el caso de las
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FQD12N20LTM |
Se aplicará el método de ensayo de los componentes de la máquina.
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 50V 16A hasta 252AA
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En el caso de las
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FCD5N60TM |
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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FDS3580: el número de unidades |
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC y otros componentes
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En el caso de las
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IRLI540NPBF (en inglés) |
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET N-CH 650V 58A a 247
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STMicroelectrónica
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IRL40SC228 |
MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK: el contenido de los componentes de los componentes de los componentes de
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Tecnologías Infineon
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STV270N4F3 |
MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10 y el resto de los componentes
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STMicroelectrónica
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IRF7854TRPBF |
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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