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Semiconductores discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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FQB8P10TM |
MOSFET 100V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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FDG6301N |
MOSFET SC70-6 N-CH 25 V
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En el caso de las
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Se trata de un documento de identificación. |
MOSFET P-Ch -20V VDSS Mosfet mejorado
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Diodos incorporados
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Se aplican las siguientes medidas: |
MOSFET N-Ch 600V 25A TO220-3 COOLMOS CP y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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IPW65R110CFDA |
MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3
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Tecnologías Infineon
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FDD7N60NZTM |
MOSFET de canal N 600V 5.5A
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Semiconductor Fairchild
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FDS6676AS |
MOSFET 30V NCH MOSFET de trenque de potencia
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Semiconductor Fairchild
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FDS6982AS |
MOSFET SO-8 N-CH 1 y 2 30V
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 10a 100V 0,165 Ohm 1Ch HS Puerta lógica
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Semiconductor Fairchild
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RFD14N05LSM |
MOSFET TO-252AA Potencia N-Ch
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Semiconductor Fairchild
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SIA931DJ-T1-GE3 |
MOSFET -30V 65mOhm@-10V -4.5A P-CH
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Vishay Semiconductores
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Se trata de un documento de identificación de los Estados miembros. |
MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V
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Vishay Semiconductores
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
MOSFET TrenchP MOSFETs de potencia
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IXYS
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IPG20N06S4L-26 |
MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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BSH108,215 |
Se aplicarán las siguientes medidas:
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Nexperia
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Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad. |
MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2 también está disponible en el mercado.
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Tecnologías Infineon
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SI4925DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 8.0A 5.0W 29mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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NTD5865NLT4G |
MOSFET N-CH único 60V 40A
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En el caso de las
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión. |
MOSFET 20V.61A.22W
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Vishay Semiconductores
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SI7288DP-T1-GE3 |
MOSFET 40V 20A MOSFET doble N-CH
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Vishay Semiconductores
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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DMN601DWK-7 |
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
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Diodos incorporados
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BSS8402DW-7-F |
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
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Diodos incorporados
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FDMA2002NZ |
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET
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En el caso de las
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FDMA1032CZ |
MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2
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En el caso de las
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FDS8949 |
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
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En el caso de las
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FQS4901TF |
MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP
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En el caso de las
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FDS8984 |
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
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En el caso de las
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IRF7501TRPBF |
MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
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Tecnologías Infineon
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DMP6050SSD-13 |
MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO
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Diodos incorporados
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FDS9933A: el número de unidades |
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC y el resto de los componentes
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En el caso de las
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FDS8960C: el valor de las emisiones de CO2 |
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC y otros
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En el caso de las
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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades |
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inver
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En el caso de las
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FDC6301N |
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
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En el caso de las
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DMN6040SSD-13 |
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
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Diodos incorporados
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FDS3890 |
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
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En el caso de las
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FDMQ8203 |
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
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En el caso de las
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DMP2200UDW-7 |
MOSFET 2P-CH 20V 0,9A SOT363 y otros componentes
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Diodos incorporados
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DMG6602SVTQ-7 |
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
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Diodos incorporados
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FDG6304P |
MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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DMC3028LSD-13 |
MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 y el otro
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Diodos incorporados
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DMN26D0UFB4-7 |
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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NTR5198NLT1G |
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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NTR4170NT1G |
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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DMP3056L-7 |
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
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Diodos incorporados
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FDN360P |
MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
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En el caso de las
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NTGS3443T1G |
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la señ
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En el caso de las
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DMP3130L-7 |
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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