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Semiconductores discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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FDC6333C |
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6 y el sistema de transmisión de energía
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En el caso de las
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la s
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Tecnologías Infineon
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FDC6506P |
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
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En el caso de las
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FDS9958 |
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
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En el caso de las
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Se trata de una serie de medidas que se aplican a los vehículos de transporte público. |
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC y el resto de los componentes
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En el caso de las
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STN1NK60Z |
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inv
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STMicroelectrónica
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El equipo de seguridad de la empresa |
MOSFET N-CH 1KV 13A hasta 247
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STMicroelectrónica
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FDV301N |
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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NTS4001NT1G |
MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323 y sus componentes
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En el caso de las
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DMN6140L-7 |
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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DMP3099L-7 y sus componentes |
MOSFET P-CH 30V SOT23: las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto invernadero
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Diodos incorporados
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DMG3402L-7 |
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
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Diodos incorporados
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DMG3415U-7 |
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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NDS331N |
MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 y sus componentes
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En el caso de las
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DMG6968U-7 |
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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FDN335N |
MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 y sus componentes
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En el caso de las
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IRLML6344TRPBF |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.
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Tecnologías Infineon
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FDN306P |
MOSFET P-CH 12V 2,6A SSOT3
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En el caso de las
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DMN10H220L-7 |
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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ZVN3320FTA |
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3 y otros componentes de los mismos
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Diodos incorporados
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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FDN359AN |
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3 y el sistema de transmisión de energía
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En el caso de las
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FQT5P10TF |
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223: las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos. |
MOSFET N-CH 60V 11A hasta 252AA
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En el caso de las
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DMP10H400SE-13 y sus componentes |
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto i
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Diodos incorporados
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223: las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto inve
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En el caso de las
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IRFM120ATF |
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 y sus componentes
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En el caso de las
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FDS6675BZ |
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC y sus componentes
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En el caso de las
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NVF3055L108T1G |
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
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En el caso de las
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FDS4685 |
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC y otros componentes
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En el caso de las
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NTD25P03LT4G |
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
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En el caso de las
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FQD2N100TM |
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK, para el cual se utiliza el módulo DPAK
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En el caso de las
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FDMS8018 |
MOSFET N-CH 30V 30A 8PQFN y el resto de los componentes
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En el caso de las
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FQD3P50TM |
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
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En el caso de las
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FQD4P40TM |
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
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En el caso de las
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IRFS3004TRL7PP |
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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IRFS4010TRLPBF |
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
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Tecnologías Infineon
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FQP47P06 |
MOSFET P-CH 60V 47A hasta 220
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En el caso de las
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IRFB7730PBF |
MOSFET N-CH 75V 195A a 220
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Tecnologías Infineon
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DMN63D8LW-7 |
MOSFET N-CH 30V 0,38A SOT323
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Diodos incorporados
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DMN26D0UT-7 |
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
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Diodos incorporados
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Se trata del DMN6075S-7. |
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 y sus componentes
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Diodos incorporados
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DMP510DL-7 y sus componentes |
MOSFET P-CH 50V 0,18A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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DMN2056U-7 |
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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IRLML2030TRPBF |
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
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Tecnologías Infineon
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Se trata del DMN3150L-7. |
MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3 y sus componentes
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26: las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
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Diodos incorporados
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DMP2035UVT-7 |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.
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Diodos incorporados
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DMT6016LSS-13 |
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC y sus componentes
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Diodos incorporados
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FDS8884 |
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC y el resto de los componentes
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En el caso de las
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