Filtros
Filtros
Semiconductores discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua IN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
SPW20N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 y otros sistemas de transmisión de energía
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
FDP33N25 |
MOSFET 250V MOSFET de canal N
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
Se aplicará a los productos de la categoría II, incluidos los productos de la categoría III. |
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 y el resto de los componentes
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
IPP60R099P6 |
MOSFET alto precio de potencia / rendimiento
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 900V QFET de canal N
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
FDS89161LZ |
MOSFET PT5 100V Nivel lógico con Zener
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
IRFL014TRPBF |
MOSFET N-Chan 60V 2,7 Amp
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
DMHC3025LSD-13 |
MOSFET 30V Comp ENH Modo H-Puente 20V VGSS
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 850V Ultra Junction MOSFET Pwr de clase X
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
El objetivo es: |
MOSFET 82 Amperios 250V 0.035 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma IPD100N04 |
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 400V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
2N7002BKS,115 |
MOSFET de doble canal N 60V 300mA
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
MMBF170-7-F |
MOSFET 60V 225mW
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 80 V, MOSFET de canal N con zanja
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción. |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Calificado
|
Siliciox / Vishay
|
|
|
|
|
|
Si3552DV-T1-GE3 |
MOSFET 30V 2.5/1.8A 1.15W 105/200mohm @ 10V
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse en todos los casos. |
MOSFET -60V -30A Canal P
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
IRFR320TRPBF |
MOSFET N-Chan 400V 3,1 Amp
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Los resultados de la evaluación de los resultados de la evaluación de los resultados de la evaluació
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Si el vehículo no está equipado con un sistema de control de velocidad, el sistema de control de velocidad deberá utilizarse para el control de velocidad. |
MOSFET 20V, -20V.0192ohm @-10V -8A P-Ch
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
IRFB4310ZPBF |
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplican las siguientes medidas: |
MOSFET -26.0 Amperios -200V 0.170 Rds y también
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
FQD12N20TM |
MOSFET 200V QFET de canal N
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
FDMS8888: el número de unidad. |
MOSFET PwrTrench de canal N 30V 21A 9.5mOhm
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor: |
MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
FQP13N10 |
MOSFET N-CH/100V/12.8A 0,18OHM
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
FDS6690AS: las condiciones de las mismas son las siguientes: |
MOSFET 30V NCH TRENCH de potencia sincronizado
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
FDD6630A |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
SI7846DP-T1-E3 |
MOSFET 150V 6,7A 5,2 W
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET Transistor Pwr de 100 V OptiMOS 5
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
IPB60R380C6 |
MOSFET N-Ch 600V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6 y otros sistemas de transmisión de energía
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
FDS6679 (incluido el número de unidades) |
MOSFET SO-8
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
SI7232DN-T1-GE3 |
MOSFET 20V 25A 23W 16.4mohm @ 4.5V
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
SQ3427AEEV-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Calificado
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
FDC6318P |
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6 y sus componentes
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
DMP4025LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
IRF9358TRPBF |
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
NDS9945 |
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FDMA3023PZ |
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A MICROFET6
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FDMA6023PZT |
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
IRF7319TRPBF |
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
DMP3056LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FDMS3620S |
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FDS6975 |
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
DMN65D8LDW-7 |
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
DMC2038LVT-7 |
MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
|
Diodos incorporados
|
|
|