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Semiconductores discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Las condiciones de las pruebas de seguridad se especifican en el anexo II. |
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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Tecnologías Infineon
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IRL7472L1TRPBF |
MOSFET N-CH 40V 375A: el número de unidades de energía de la unidad de energía de la unidad de energ
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Tecnologías Infineon
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente: |
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, para el cual se utiliza el método de ensayo
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Tecnologías Infineon
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IRFS7440TRLPBF |
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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STH3N150-2 |
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2 y el resto de los componentes
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STMicroelectrónica
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STW4N150 |
MOSFET N-CH 1500V 4A a 247
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STMicroelectrónica
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IRF7815TRPBF |
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC, para el cual se utiliza el sistema de transmisión por cable
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Tecnologías Infineon
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STW12NK90Z |
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la señ
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STMicroelectrónica
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IRF200S234 |
Se trata de un sistema de control de las emisiones.
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Tecnologías Infineon
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IPW60R037CSFD |
¿Qué es eso?
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Tecnologías Infineon
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2SC2078 |
Aplicaciones de amplificadores de potencia RF de 27 MHz
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- ¿Qué quieres decir?
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El número de unidades de producción |
MOSFET 200V 58A
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IXYS
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El número de unidades de producción |
MOSFET 500V 44A: el número de unidades
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IXYS
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FQA28N50 |
MOSFET 500V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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SPW47N60CFD |
MOSFET N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD, que se utiliza para el tratamiento de las emisiones de gas
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Tecnologías Infineon
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%. |
MOSFET -30V 7mOhm@10V 35A P-Ch G-III Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efe
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Vishay Semiconductores
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FCP11N60: las condiciones de los productos |
MOSFET 600V 11A N-CH
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Semiconductor Fairchild
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TPH4R50ANH |
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
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toshiba
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Se trata de una prueba de la complejidad. |
MOSFET 64 Amperios 250V 0.049 Rds
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IXYS
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IPA50R280CE |
MOSFET N-Ch 500V 13A TO220FP-3 CoolMOS CE
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Tecnologías Infineon
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IPW60R045CP |
MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 COOLMOS CP, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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Tecnologías Infineon
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SQ7415AEN-T1_GE3 |
MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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IPD50P04P4L-11 |
MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los certificados y certificados deberán ser las siguientes: |
MOSFET 138 Amperios 300V 0.018 Rds
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 52 Amperios 300V 0,066 Ohm Rds
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IXYS
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IPD90N04S4-04 |
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
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Diodos incorporados
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%. |
MOSFET N & P-Chnl 20 V D-S
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Siliciox / Vishay
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FQPF15P12 |
MOSFET 120V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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IRF9630PBF |
MOSFET P-Chan 200V 6,5 Amp
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
Se aplicará el método de ensayo de los componentes de los sistemas de transmisión.
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Tecnologías Infineon
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IPW65R065C7 |
MOSFET ALTO POWER_NEW
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Tecnologías Infineon
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FCD4N60TM |
MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET
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Semiconductor Fairchild
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FDC2612 |
MOSFET 200V NCh PowerTrench
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Semiconductor Fairchild
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DMP6023LE-13 y sus derivados |
MOSFET P-Ch 60V Enh Modo 145W 20Vgs 2569pF
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Diodos incorporados
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles, el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles será igual al 0,5%. |
MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V
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Vishay Semiconductores
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FDC642P |
MOSFET SSOT-6 P-CH -20 V
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Semiconductor Fairchild
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Se trata de un documento de identificación de la persona que ha sido objeto de la solicitud. |
MOSFET N Ch 30 Vds 20 Vgs
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Siliciox / Vishay
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Si el producto no es compatible con el mercado, el fabricante deberá presentar un certificado de conformidad con el presente Reglamento. |
MOSFET 30V 40A 48W 3.4mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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El contenido de nitrógeno en el aceite de oliva debe ser igual o superior a: |
MOSFET 82 Amperios 300V 0,026 Ohm Rds
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IXYS
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SI7228DN-T1-GE3 |
MOSFET 30V 26A 23W 20mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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SI7942DP-T1-GE3 |
MOSFET doble N-Ch 100V 49mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un documento de identificación de los Estados miembros de la UE. |
MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III
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Vishay Semiconductores
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IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T, que se encuentra en el centro de la ciudad
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Tecnologías Infineon
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IPW60R070C6 |
MOSFET N-Ch 600V 53A TO247-3 COOLMOS C6
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Tecnologías Infineon
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IPW65R041CFD |
MOSFET N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
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Tecnologías Infineon
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SI4190ADY-T1-GE3 |
MOSFET 100V 8.8mOhm@10V 18.4A N-Ch MV T-FET
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Vishay Semiconductores
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