Filtros
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MOSFET
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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SI7216DN-T1-E3 |
El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga será el siguiente:
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Vishay Semiconductores
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FCPF22N60NT |
MOSFET 600V SupremOS de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FCH072N60 |
MOSFET SuperFET2 600 V Versión rápida
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Semiconductor Fairchild
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IRFPG50PBF |
MOSFET N-Chan 1000V 6.1 Amp
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Vishay Semiconductores
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FDP61N20 |
MOSFET 200V MOSFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FQB4N80TM |
MOSFET 800V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FQP12P20 |
MOSFET 200V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades |
MOSFET 100V MOSFET de transmisión de energía de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FQB7P20TM |
MOSFET 200V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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FQB33N10TM |
MOSFET 100V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FQT4N25TF |
MOSFET 250V único
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Semiconductor Fairchild
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SI1024X-T1-GE3 |
MOSFET doble N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V
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Vishay Semiconductores
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DMP4051LK3-13 |
MOSFET Modo de mejora MOSFET 40V canal P
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Diodos incorporados
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BSS138BK,215 |
MOSFET N-CH 60 V y 360 mA
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Nexperia
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SI7236DP-T1-GE3 |
MOSFET 20V 60A 46W 5.2mohm @ 4.5V
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 64,0 Amperios 500 V 0,09 Ohm Rds
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IXYS
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SIZ340DT-T1-GE3 |
MOSFET 30V.0095ohm@10V 30A con doble N-Ch T-FET
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Vishay Semiconductores
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BSC014N04LSI |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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Tecnologías Infineon
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IPB117N20NFD |
MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%. |
MOSFET N&P-CH 30V (D-S)
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Vishay Semiconductores
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FDD6N50TM |
MOSFET 30V/16V 9.5/12MO NCH único
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Semiconductor Fairchild
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IRFP264PBF |
MOSFET N-Chan 250V 38 Amp
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Vishay Semiconductores
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SPP20N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3 y otros componentes de la misma
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Tecnologías Infineon
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SUM90P10-19L-E3 |
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
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Siliciox / Vishay
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FDPF045N10A |
MOSFET 100V MOSFET de transmisión de energía de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FDMS86150 |
MOSFET PT5 100V / 20V Nch MOSFET de corte de energía
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Semiconductor Fairchild
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Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones |
MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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NVD5117PLT4G: las condiciones de los equipos de seguridad y de los equipos de seguridad |
MOSFET 60V T1 PCH DPAK, el cual se utiliza en el caso de las máquinas de la categoría M1
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET de 60 V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
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Semiconductor Fairchild
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
MOSFET 60V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FQP9P25 |
MOSFET 250V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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FDS6699S |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET y otros sistemas de transmisión de energía
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Semiconductor Fairchild
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Si el vehículo no está equipado con un sistema de control de velocidad, el sistema de control de velocidad deberá utilizar un sistema de control de velocidad. |
MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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ZXMS6004FFTA |
MOSFET 60V N-Canal autoprotegido
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Diodos incorporados
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SI9933CDY-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V
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Vishay Semiconductores
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SIR878ADP-T1-GE3 (en inglés) |
MOSFET 100V 14mOhm@10V 40A N-Ch MV T-FET
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Vishay Semiconductores
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IPW90R120C3 |
MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 COOLMOS C3 y otros componentes de la misma
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Tecnologías Infineon
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros. |
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de la Unión será inferior al 20% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión. |
MOSFET 80V 28A 83W 25mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II. |
MOSFET 850V Ultra Junction MOSFET Pwr de clase X
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IXYS
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TK12A60D |
MOSFET N-CH 600V 12A hasta 220SIS
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toshiba
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-canal 60 V, 0,0012 Ohm tipo 120 A STripFET F7 MOSFET de potencia
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STMicroelectrónica
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SI7540DP-T1-E3 |
MOSFET N- y P-CANAL 30V
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Vishay Semiconductores
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 32 Amperios 500V 0,15 Rds
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IXYS
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IXTH13N110 |
MOSFET 13 Amperios 1100V 0,92 Rds
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IXYS
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El número de unidades de producción |
Se aplicará el método de ensayo de los datos.
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 600V 64A: el número de unidades de energía de la unidad
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 30 Amperios 1000V 0,35 Rds
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IXYS
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