Filtros
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MOSFET
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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FDD8424H |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
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En el caso de las
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IRF7341TRPBF |
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
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Tecnologías Infineon
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FDS89161 |
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
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En el caso de las
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FDMQ8403 |
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP, para el cual se utiliza el módulo 4N-CH
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En el caso de las
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DMN26D0UDJ-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
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Diodos incorporados
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DMG1024UV-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
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Diodos incorporados
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DMC3021LSD-13 |
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
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Diodos incorporados
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FDS9926A |
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
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En el caso de las
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IRF7317TRPBF |
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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NTHD4102PT1G |
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
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En el caso de las
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DMP3036SSD-13 |
MOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO
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Diodos incorporados
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FDS6898AZ |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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En el caso de las
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FDMS3660S: el número de unidad |
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN y el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal
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En el caso de las
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IRF7380TRPBF |
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
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Tecnologías Infineon
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FDS4935A |
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
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En el caso de las
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DMC2400UV-7 |
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
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Diodos incorporados
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DMG6601LVT-7 |
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
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Diodos incorporados
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NTJD4152PT1G |
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
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En el caso de las
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NDC7002N |
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
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En el caso de las
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DMN5L06DWK-7 |
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
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Diodos incorporados
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DMN3135LVT-7 |
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
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Diodos incorporados
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FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
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En el caso de las
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DMP3085LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL y el resto de los componentes
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En el caso de las
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FDS4953 |
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
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En el caso de las
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STN3NF06L |
Se aplicarán las siguientes medidas:
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STMicroelectrónica
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STP75NF75 |
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
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STMicroelectrónica
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BSS123-7-F |
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 y otros componentes de los mismos
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Diodos incorporados
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MMBF170LT1G |
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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DMG1012UW-7 |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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DMG2305UX-7 |
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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BSS84W-7-F |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
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Diodos incorporados
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 y otros dispositivos de transmisión de energía
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Diodos incorporados
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DMP10H4D2S-7 |
MOSFET P-CH 100V 0,27A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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NTR4501NT1G |
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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FDN340P |
MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3 y sus componentes
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En el caso de las
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23: el contenido de los componentes de los componentes de los componentes de l
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Tecnologías Infineon
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MGSF1N03LT1G |
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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FDN304P |
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
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En el caso de las
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BSS169H6327XTSA1 y sus derivados |
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
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Tecnologías Infineon
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ZXM61P03FTA |
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 y sus componentes
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Diodos incorporados
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DMP4047LFDE-7 |
El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga ser
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Diodos incorporados
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FDS9435A |
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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DMP6110SVT-7 |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.
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Diodos incorporados
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembros |
MOSFET P-CH 200V 0,67A SOT-223 y otras fuentes de energía
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En el caso de las
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ZVN3310FTA |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.
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Diodos incorporados
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FDS6680A |
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC y sus componentes
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En el caso de las
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FDD5614P |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
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En el caso de las
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