Filtros
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MOSFET
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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FDS 5351 |
MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC y sus componentes
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En el caso de las
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NTD2955T4G |
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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FQD5P20TM |
Se aplicará el método de cálculo de los valores de las emisiones de gases de efecto invernadero
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En el caso de las
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FDS8447 |
MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC y sus componentes
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En el caso de las
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ZXMP3A16GTA |
MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223 y otros componentes
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Diodos incorporados
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FDMC2523P |
MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ y otros componentes
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En el caso de las
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FDD8870: el número de unidades |
MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK: el sistema de transmisión de energía de los motores de las unidades de p
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En el caso de las
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FDS2672: las condiciones de los productos |
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC y el resto de los componentes
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En el caso de las
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FDD16AN08A0 |
Se aplicará el método de medición de la velocidad.
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. |
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad de la máquina.
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En el caso de las
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FDMS7650 |
MOSFET N-CH 30V POWER56 y sus componentes
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En el caso de las
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IRF4905STRLPBF |
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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IRF7749L1TRPBF |
MOSFET N-CH 60V 33A Dirección 8
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Tecnologías Infineon
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IRLS3034TRL7PP |
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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FQP32N20C |
MOSFET N-CH 200V 28A hasta 220
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En el caso de las
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FDPF51N25 |
MOSFET N-CH 250V 51A hasta 220F
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En el caso de las
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STH315N10F7-2 |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de las partículas.
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STMicroelectrónica
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET N-CH 30V 0,35A SOT23
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Diodos incorporados
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NTK3043NT1G |
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723 y sus componentes
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En el caso de las
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Se trata de un documento de identificación. |
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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Se trata del DMN601TK-7. |
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523: las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto in
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Diodos incorporados
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DMP6185SE-13 |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de las partículas.
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN, para el cual se utiliza el sistema de transmisión por cable
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En el caso de las
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FDS6630A: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B |
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC y otros componentes
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En el caso de las
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DMP6180SK3-13 |
MOSFET P-CH 60V 14A TO252 y otros componentes
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Diodos incorporados
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FDD7N20TM |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
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En el caso de las
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IPD50N04S4L-08 |
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 El sistema de transmisión de energía de los motores de combustión re
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Tecnologías Infineon
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FDD306P |
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II. |
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad.
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En el caso de las
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BS170 |
MOSFET N-CH 60V 500MA hasta el 92
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En el caso de las
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STD44N4LF6 |
MOSFET N-CH 40V 44A DPAK, para el cual se utiliza el método de ensayo de la composición de los gases
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STMicroelectrónica
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FDD3860: el número de unidades |
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK, para el cual se utilizará el sistema de control de velocidad.
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En el caso de las
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FDS86267P |
MOSFET P-CH 150 V
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En el caso de las
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IRFB7545PBF |
MOSFET N CH 60V 95A hasta 220AB
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Tecnologías Infineon
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IRF100S201 |
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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IRFB7430PBF |
MOSFET N CH 40V 195A TO220
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Tecnologías Infineon
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AUIRF5210STRL |
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK: el contenido de los componentes de los componentes de los componentes de
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Tecnologías Infineon
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET N-CH 60V 120A hasta el 262
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Tecnologías Infineon
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IRFR4510TRPBF |
MOSFET N CH 100V 56A DPAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la señal
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Tecnologías Infineon
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El número de los miembros de la familia |
MOSFET P-CH 55V 74A hasta 220AB
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Tecnologías Infineon
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IRF300P226 |
MOSFET IFX OPTIMOS TO247 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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IRFB3006GPBF |
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
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Tecnologías Infineon
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2SK2837 |
Tipo MOS del canal N de silicio (π−MOSV)
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Semiconductor de Toshiba
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2SK2225-E |
MOSFET 2A, 1500V, TO-3PFM, libre de Pb
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Renesas Electrónica
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B se aplicarán a los vehículos de las categorías A y B, y a los vehículos de las categorías A y B. |
MOSFET 40V 16A 62.5W P-Ch Automotriz
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Vishay Semiconductores
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 180 Amperios 100V 0,008 Rds
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IXYS
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 230 Amperios 100 V 0,006 Rds
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IXYS
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II. |
MOSFETO MOSFETO
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Renesas Electrónica
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET 50 Amperios 800 V
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IXYS
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