Filtros
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MOSFET
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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NX138AKSX |
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de l
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Nexperia
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor |
MOSFET 300V 73A: el número de unidades
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IXYS
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CSD88537ND |
MOSFET de potencia de doble canal N de 60 V
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Las acciones de Texas Instruments
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse. |
MOSFET 20 Amperios 1000V 1 Rds
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
MOSFET 20V MOSFET de zanja de canal N
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Nexperia
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua IN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm
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Vishay Semiconductores
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SPW20N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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FDP33N25 |
MOSFET 250V MOSFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará a los productos de la categoría II, incluidos los productos de la categoría III. |
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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IPP60R099P6 |
MOSFET alto precio de potencia / rendimiento
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 900V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FDS89161LZ |
MOSFET PT5 100V Nivel lógico con Zener
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Semiconductor Fairchild
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IRFL014TRPBF |
MOSFET N-Chan 60V 2,7 Amp
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Vishay Semiconductores
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DMHC3025LSD-13 |
MOSFET 30V Comp ENH Modo H-Puente 20V VGSS
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 850V Ultra Junction MOSFET Pwr de clase X
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IXYS
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El objetivo es: |
MOSFET 82 Amperios 250V 0.035 Rds
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma IPD100N04 |
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 400V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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Semiconductor Fairchild
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2N7002BKS,115 |
MOSFET de doble canal N 60V 300mA
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Nexperia
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MMBF170-7-F |
MOSFET 60V 225mW
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 80 V, MOSFET de canal N con zanja
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Nexperia
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El número de unidades de producción será el número de unidades de producción. |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Calificado
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Siliciox / Vishay
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Si3552DV-T1-GE3 |
MOSFET 30V 2.5/1.8A 1.15W 105/200mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse en todos los casos. |
MOSFET -60V -30A Canal P
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Semiconductor Fairchild
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IRFR320TRPBF |
MOSFET N-Chan 400V 3,1 Amp
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Vishay Semiconductores
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Los resultados de la evaluación de los resultados de la evaluación de los resultados de la evaluació
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Nexperia
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Si el vehículo no está equipado con un sistema de control de velocidad, el sistema de control de velocidad deberá utilizarse para el control de velocidad. |
MOSFET 20V, -20V.0192ohm @-10V -8A P-Ch
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Vishay Semiconductores
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IRFB4310ZPBF |
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
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Tecnologías Infineon
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Se aplican las siguientes medidas: |
MOSFET -26.0 Amperios -200V 0.170 Rds y también
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IXYS
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FQD12N20TM |
MOSFET 200V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FDMS8888: el número de unidad. |
MOSFET PwrTrench de canal N 30V 21A 9.5mOhm
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Semiconductor Fairchild
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor: |
MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R
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Semiconductor Fairchild
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FQP13N10 |
MOSFET N-CH/100V/12.8A 0,18OHM
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Semiconductor Fairchild
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FDS6690AS: las condiciones de las mismas son las siguientes: |
MOSFET 30V NCH TRENCH de potencia sincronizado
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Semiconductor Fairchild
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FDD6630A |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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Semiconductor Fairchild
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SI7846DP-T1-E3 |
MOSFET 150V 6,7A 5,2 W
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET Transistor Pwr de 100 V OptiMOS 5
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Tecnologías Infineon
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IPB60R380C6 |
MOSFET N-Ch 600V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6 y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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FDS6679 (incluido el número de unidades) |
MOSFET SO-8
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Semiconductor Fairchild
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SI7232DN-T1-GE3 |
MOSFET 20V 25A 23W 16.4mohm @ 4.5V
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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SQ3427AEEV-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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FDC6318P |
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6 y sus componentes
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En el caso de las
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DMP4025LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
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Diodos incorporados
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IRF9358TRPBF |
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
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Tecnologías Infineon
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NDS9945 |
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
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En el caso de las
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FDMA3023PZ |
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A MICROFET6
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En el caso de las
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FDMA6023PZT |
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
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En el caso de las
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IRF7319TRPBF |
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
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Tecnologías Infineon
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