Filtros
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MOSFET
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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IRLML2030TRPBF |
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
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Tecnologías Infineon
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Se trata del DMN3150L-7. |
MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3 y sus componentes
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26: las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
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Diodos incorporados
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DMP2035UVT-7 |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.
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Diodos incorporados
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DMT6016LSS-13 |
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC y sus componentes
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Diodos incorporados
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FDS8884 |
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC y el resto de los componentes
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En el caso de las
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FDME905PT |
MOSFET P-CH 12V 6-UMLP y sus componentes
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En el caso de las
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FQD6N40CTM |
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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DMP4010SK3Q-13 |
MOSFET P-CH 40V 50A TO252 y otros componentes
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Diodos incorporados
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FDD6685 |
MOSFET P-CH 30V 11A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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FDD86113LZ |
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3 y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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IRFH7440TRPBF |
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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FCD7N60TM |
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
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En el caso de las
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FDB14N30TM |
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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En el caso de las
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El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga |
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK, para el cual se utiliza un sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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IRFS7730TRL7PP |
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
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Tecnologías Infineon
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Se trata de la DMN3300U-7. |
MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 y sus componentes
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Diodos incorporados
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IRF200P222 |
MOSFET N-CH 200V 182A hasta 247AC
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Se aplicará el método de ensayo de los datos.
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STMicroelectrónica
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IRLML0030TRPBF |
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
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Tecnologías Infineon
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IRFS7430TRLPBF |
MOSFET N-CH 40V 409A D2PAK: el contenido de los componentes de los componentes de los componentes de
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Tecnologías Infineon
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STD25NF20 |
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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STMicroelectrónica
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IRFR15N20DTRPBF |
Se aplicarán las siguientes medidas:
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento de evaluación de los resultados de los ensayos. |
MOSFET N-CH 80V TO263-3 y otros
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Tecnologías Infineon
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BSS131H6327XTSA1 |
MOSFET N-CH 240V 0,11A SOT23 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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IRFR4620TRLPBF |
MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
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Tecnologías Infineon
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IRFH7085TRPBF |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los gases de combustión.
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Tecnologías Infineon
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Se trata de una enfermedad de transmisión genética. |
MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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STMicroelectrónica
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IRFS7530TRL7PP |
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web del fabricante. |
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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Tecnologías Infineon
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BSC0702LS |
Se aplicará el procedimiento siguiente:
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el método siguiente: |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
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Tecnologías Infineon
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Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%. |
MOSFET 30V 15A 1.8W
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Vishay Semiconductores
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FDMA530PZ |
MOSFET -30V P-Ch MOSFET de corriente de corriente
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T, que se encuentra en el centro de la ciudad de Nueva York.
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Tecnologías Infineon
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BSZ034N04LS |
MOSFETOS MOSFETOS diferenciados
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Tecnologías Infineon
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IPD90P04P4L-04 |
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2 y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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FQPF13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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Semiconductor Fairchild
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 300V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FQPF12N60C |
MOSFET 600V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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En el caso de las
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SPA11N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
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Tecnologías Infineon
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FDB2532 |
MOSFET 150V Fosa de QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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SPP17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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IXFK40N90P |
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Rds rojo
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IXYS
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DMP2047UCB4-7 |
MOSFET P-Ch ENH Modo FET -20V -6
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Diodos incorporados
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor y de los vehículos de motor |
MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A La energía de los motores de combustión renovable es la
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 500V 16A: el número de unidades de carga de la unidad de carga
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IXYS
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Se trata de una prueba de la calidad de los productos. |
MOSFET 69 Amperios 300V 0.049 Rds
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 30V MOSFET de trinchera de canal P
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Nexperia
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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