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fabricante:
Qorvo
Descripción:
Transistores RF JFET.03-3GHz Ganancia de 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
Tecnología:
GaN SiC
Categoría de productos:
Transistores de RF JFET
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Ganancias:
17.1 dB
Tipo de transistor:
HEMT
Pd - Disposición de energía:
15.3 W
Envase / estuche:
QFN-EP-16
Potencia de salida:
11 W
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
32 V
embalaje:
Envases
Identificación - corriente continua del dren:
557 mA
Vgs - Tensión de ruptura de la fuente de la puerta:
- 2,7 V
Fabricante:
Qorvo
Introducción
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