Se trata de una serie de medidas de control.
fabricante:
Qorvo
Descripción:
Transistores de RF JFET DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
Tecnología:
GaN SiC
Categoría de productos:
Transistores de RF JFET
Estilo de montaje:
¿Qué quieres decir?
Ganancias:
DB 20
Tipo de transistor:
HEMT
Potencia de salida:
70 W
Envase / estuche:
El NI-360
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
50 V
embalaje:
Envases
Identificación - corriente continua del dren:
2,5 A
Vgs - Tensión de ruptura de la fuente de la puerta:
145 V
Pd - Disposición de energía:
64 W
Fabricante:
Qorvo
Introducción
El QPD1015L, de Qorvo, son transistores RF JFET. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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