Se trata de una serie de medidas de seguridad.
fabricante:
Qorvo
Descripción:
Transistores RF JFET 8-12GHz 20W GaN PAE 50% de ganancia 11dB
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
Tecnología:
GaN SiC
Categoría de productos:
Transistores de RF JFET
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Ganancias:
11 dB
Tipo de transistor:
HEMT
Potencia de salida:
19 W
Envase / estuche:
QFN-20
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 225 C
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
32 V
embalaje:
Envases
Identificación - corriente continua del dren:
1,3 A
Vgs - Tensión de ruptura de la fuente de la puerta:
- 2,7 V
Pd - Disposición de energía:
33 W
Fabricante:
Qorvo
Introducción
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