Se trata de la siguiente:
fabricante:
Qorvo
Descripción:
Transistores RF JFET 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
Tecnología:
GaN SiC
Categoría de productos:
Transistores de RF JFET
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Ganancias:
DB 22
Tipo de transistor:
HEMT
Potencia de salida:
180 W
Envase / estuche:
El NI400-2
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
50 V
embalaje:
galleta
Voltado máximo de la puerta de drenaje:
55 V
Identificación - corriente continua del dren:
360mA
Pd - Disposición de energía:
60.9 W
Fabricante:
Qorvo
Introducción
El QPD3601, de Qorvo, son transistores RF JFET. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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