Se trata de una serie de medidas de seguridad.
fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto inver
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
SOT-523
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
0.622 nC @ 4,5 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tipo de FET:
P-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
1.8V, 4.5V
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Vgs (máximo):
±6V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
59.76 pF @ 16 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-523
El Sr.:
Diodos incorporados
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
460mA (TA)
Disipación de poder (máxima):
270mW (TA)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
DMG1013
Introducción
Se trata de un sistema de transmisión de energía de alta intensidad.
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