Se aplicará el procedimiento siguiente:
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto invern
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2V @ 250μA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
10.8 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
21 mOhm @ 6A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
435 pF @ 15 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
6A (TA)
Disipación de poder (máxima):
Se aplican las siguientes medidas:
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
El PMV20
Introducción
N-Canal 30 V 6A (Ta) 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Montaje de superficie TO-236AB
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