PMV250EPEAR
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET P-CH 40V 1.5A hasta 236AB
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
6 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los vehículos de combustión interna no deben exceder
Tipo de FET:
P-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
450 pF @ 20 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
Automotriz, AEC-Q100
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
1.5A (TA)
Disipación de poder (máxima):
480mW (TA), 6.25W (Tc)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
El PMV250
Introducción
P-Canal 40 V 1.5A (Ta) 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Montaje de superficie TO-236AB
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