Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
Pad expuesto 3-XDFN
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es igual o superior a:
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
120mOhm @ 2.4A, 10V
Tipo de FET:
P-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
309 pF @ 15 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
2.4A (TA)
Disipación de poder (máxima):
El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Se aplicará el método siguiente:
Introducción
P-Canal 30 V 2.4A (Ta) 400mW (Ta), 8.3W (Tc) Monte de superficie DFN1010D-3
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