Se trata de una serie de productos que se fabrican en la Unión Europea.
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Envase / estuche:
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
10.9 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
33 mOhm @ 5A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
628 pF @ 25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Paquete de dispositivos del proveedor:
LFPAK33
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
24A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
44W (Tc)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
BUK7M33
Introducción
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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