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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 6A hasta 247AD
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
92 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.4Ohm @ 500mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2830 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Polar
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247AD (IXFH)
Mfr:
IXYS
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
250W (Tc)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Base Product Number:
IXFH6
Introducción
N-canal 1200 V 6A (Tc) 250W (Tc) a través del agujero TO-247AD (IXFH)
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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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