Se aplicará el procedimiento siguiente:
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.25V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
9 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
78mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
618 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q100
Supplier Device Package:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.8A (Ta)
Power Dissipation (Max):
480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Base Product Number:
PMV65
Introducción
P-Canal 20 V 2.8A (Ta) 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Montaje de superficie TO-236AB
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