Se aplicarán los siguientes requisitos:
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2.2V @ 2mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Envase / estuche:
SC-100, SOT-669
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
121.35 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
1El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de e
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
8598 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
LFPAK56, Power-SO8
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
100A (Tc)
Power Dissipation (Max):
238W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PSMN1R0
Introducción
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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