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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
FET Feature:
Depletion Mode
Vgs(th) (máximo) @ Id:
-
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
23.7 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.3Ohm @ 800mA, 0V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
-
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
645 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Depletion
Supplier Device Package:
TO-252AA
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
100W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTY1
Introducción
N-canal 500 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Montado de superficie TO-252AA
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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