PMZB350UPE,315
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3 y también
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
950mV @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
3-XFDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
1.9 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
450mOhm @ 300mA, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.8V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
127 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
DFN1006B-3
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1A (Ta)
Power Dissipation (Max):
360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Base Product Number:
PMZB350
Introducción
P-Canal 20 V 1A (Ta) 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Monte de superficie DFN1006B-3
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