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Se aplicará el procedimiento siguiente:

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 120A TO268
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Envase / estuche:
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
150 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
16 mOhm @ 500 mA, 10 V
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Package:
Tube
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4900 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Polar
Supplier Device Package:
TO-268AA
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Power Dissipation (Max):
600W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTT120
Introducción
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

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El número de unidades de producción es el siguiente:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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