Se aplicará el procedimiento siguiente:
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.7V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
4.8 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
222mOhm @ 1.5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Not For New Designs
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
177 pF @ 30 V
Mounting Type:
Surface Mount
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Supplier Device Package:
TO-236AB
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.5A (Ta)
Disipación de poder (máxima):
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán de acuerdo con el
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMV230
Introducción
N-canal 60 V 1.5A (Ta) 480mW (Ta), 1.45W (Tc) Montaje de superficie TO-236AB
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