BUK9Y38-100E,115
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Package / Case:
SC-100, SOT-669
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
21.6 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
38mOhm @ 5A, 5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±10V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2541 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Supplier Device Package:
LFPAK56, Power-SO8
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
30A (Tc)
Power Dissipation (Max):
94.9W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
BUK9Y38
Introducción
N-canal 100 V 30A (Tc) 94.9W (Tc) Montaje de superficie LFPAK56, potencia-SO8
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