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Se aplicará el procedimiento siguiente:

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
78 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
50mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
250 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Mounting Type:
Through Hole
Serie:
Foso
Supplier Device Package:
TO-220-3
El Sr.:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
400W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTP50
Introducción
N-canal 250 V 50A (Tc) 400W (Tc) a través del agujero TO-220-3
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El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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