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Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
55 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
110mOhm @ 18A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3100 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Polar P3™
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
36A (Tc)
Power Dissipation (Max):
300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Número del producto de base:
IXTP36
Introducción
P-canal 150 V 36A (Tc) 300W (Tc) a través del agujero TO-220-3
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

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MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

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MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
El número de unidades de la serie IXFH13N50

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MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
El número de unidades de producción es el siguiente:

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MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
El número de unidades de producción es el siguiente:

El número de unidades de producción es el siguiente:

MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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