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El número de unidades de producción

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
5V @ 100µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Envase / estuche:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
60 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3040 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Trench
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
80A (Tc)
Power Dissipation (Max):
230W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTP80
Introducción
N-canal 100 V 80A (Tc) 230W (Tc) a través del agujero TO-220-3
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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