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Se aplican las siguientes medidas:

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET P-CH 200V 24A TO247
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
150 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
150mOhm @ 500mA, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Product Status:
Active
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4200 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Serie:
-
Supplier Device Package:
TO-247 (IXTH)
El Sr.:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
24A (Tc)
Power Dissipation (Max):
300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTH24
Introducción
P-canal 200 V 24A (Tc) 300W (Tc) a través del agujero TO-247 (IXTH)
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

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El número de unidades de producción es el siguiente:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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