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IXTA1N100

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 25µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
14.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11Ohm @ 1A, 10V
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Package:
Tube
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (Max):
±30V
Estado del producto:
Actividad
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
400 pF @ 25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-263AA
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.5A (Tc)
Power Dissipation (Max):
54W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTA1
Introducción
N-canal 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Montado de superficie TO-263AA
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

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El número de unidades de producción es el siguiente:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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