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Se aplicará el procedimiento siguiente:

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 130A TO3P
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-3P-3, SC-65-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
104 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
9.1mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
paquete:
El tubo
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Product Status:
Active
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5080 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Serie:
Foso
Supplier Device Package:
TO-3P
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
130A (Tc)
Power Dissipation (Max):
360W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTQ130
Introducción
N-canal 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) a través del agujero TO-3P
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

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MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

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MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
El número de unidades de la serie IXFH13N50

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MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
El número de unidades de producción es el siguiente:

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MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
El número de unidades de producción es el siguiente:

El número de unidades de producción es el siguiente:

MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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