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El número de unidades de producción

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 1.5mA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
39 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1050 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
HiPerFET™
Supplier Device Package:
TO-263AA (IXFA)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3A (Tc)
Power Dissipation (Max):
200W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFA3
Introducción
N-canal 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Montaje de superficie TO-263AA (IXFA)
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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