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Las condiciones de los productos de la categoría II se establecen en el anexo II.

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 170A TO268
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Package / Case:
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
198 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
9mOhm @ 500mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Polar
Supplier Device Package:
TO-268AA
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
170A (Tc)
Power Dissipation (Max):
715W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTT170
Introducción
N-Canal 100 V 170A (Tc) 715W (Tc) Montura de superficie para el TO-268AA
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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