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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 8mA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3 Variant
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Las partidas de los demás componentes
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
190mOhm @ 22A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
800 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
12000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Polar
Supplier Device Package:
PLUS247™-3
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
44A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1040W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFX44
Introducción
N-canal 800 V 44A (Tc) 1040W (Tc) a través del agujero PLUS247TM-3
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

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MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

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El número de unidades de la serie IXFH13N50

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El número de unidades de producción es el siguiente:

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MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
El número de unidades de producción es el siguiente:

El número de unidades de producción es el siguiente:

MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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