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Se aplicará el procedimiento siguiente:

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3 Variant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
230 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
65mOhm @ 500mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
850 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
8900 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Serie:
HiPerFETTM, Ultra X
Supplier Device Package:
PLUS247™-3
El Sr.:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
66A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
1250 W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Número del producto de base:
IXFX66
Introducción
N-canal 850 V 66A (Tc) 1250W (Tc) a través del agujero PLUS247TM-3
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

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MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
El número de unidades de la serie IXFH13N50

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MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
El número de unidades de producción es el siguiente:

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MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
El número de unidades de producción es el siguiente:

El número de unidades de producción es el siguiente:

MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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