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Se aplicará el método de ensayo.

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
38.6 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7.3Ohm @ 1.5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Package:
Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss):
1500 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1375 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-263HV
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3A (Tc)
Power Dissipation (Max):
250W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTA3
Introducción
N-canal 1500 V 3A (Tc) 250W (Tc) Montado de superficie TO-263HV
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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