Filtros
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Semiconductores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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MK22FN1M0VLQ12 |
Microcontroladores ARM - MCU K20 1MB 120Mhz
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Escala libre / NXP
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MK64FX512VMD12 |
Microcontroladores del BRAZO - MCU K60-1M
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Escala libre / NXP
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Se aplicará el método de ensayo de las pruebas de detección. |
Microcontroladores ARM - MCU 256k Flash 32k RAM AES
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Los laboratorios de silicio.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Microcontroladores ARM - MCU K20 1MB 120Mhz
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Escala libre / NXP
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IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de producción es: |
MOSFET 23 Amperios 800V 0,40 Rds
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IXYS
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
MOSFET 80 Amperios 500V 0,06 Rds
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IXYS
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Se aplicará el método siguiente: |
MOSFET 32 Amperios 500V 0,16 Rds
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IXYS
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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente: |
MOSFET 800V 13A: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal
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IXYS
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A, B y C. |
FPGA - Matriz de puertas programables de campo IGLOO
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Las demás
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DMP6023LFGQ-13 |
Se aplican las siguientes medidas:
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Diodos incorporados
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El número de unidades de producción es el número de unidades de producción. |
FPGA - Matriz de puertas programables de campo 66.5K LUTs, 490 I/O 7 Velocidad
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Las redes
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Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. |
MOSFET 96 Amperios 150V 0.024 Rds
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IXYS
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SQ1440EH-T1_GE3 |
MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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IXFH170N10P |
MOSFET 170 Amperios 100 V 0,009 Rds
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IXYS
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El número de unidades de producción |
MOSFET 100V 180A: el número de unidades
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IXYS
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Se aplican las siguientes medidas: |
Dispositivo de conmutación de MOSFET
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En el caso de las
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SPA17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
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Tecnologías Infineon
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BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH y otras sustancias químicas
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En el caso de las
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la planta, el valor de las emisiones de CO2 de la planta será inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la planta. |
MOSFET 20V 6A MOSFET N-CH
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Vishay Semiconductores
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Si el valor de las emisiones de CO2 es superior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será inferior a 0,9%. |
MOSFET 40V 60A 46W 5.8mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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SI7252DP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 17mOhm@10V 36,7A N-Ch MV T-FET
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFETOS MOSFETOS diferenciados
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Tecnologías Infineon
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BSC028N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET SOT-223 P-CH -20 V
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Semiconductor Fairchild
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IRF7343TRPBF |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de las partículas de aluminio.
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IR/Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases d
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toshiba
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
FPGA - Puerta de campo programable 6864 LUTs 207 I/O 1.2V 1 VELECIDAD
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Las redes
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SI1539CDL-T1-GE3 |
MOSFET 30 Voltios 0,7 Amperios 0,34 vatios
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Vishay Semiconductores
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2N7002DW-7-F |
MOSFET 60V 200mW
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Diodos incorporados
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LFE3-35EA-7FN484C |
FPGA - Arreglo de puerta programable en campo 33.3K LUT 295 I/O 1.2V -7 Velocidad
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Las redes
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IXFH46N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V / 46A Ultra Junction X2 y otros dispositivos de conexión
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IXYS
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El número de unidades de producción |
MOSFET MOSFET Id60 BVdass100
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IXYS
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El número de unidades de producción |
MOSFET Potencia de la zanja MOSFETs 200v, 60A
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IXYS
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IPW60R070P6 |
MOSFET alto precio de potencia / rendimiento
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Tecnologías Infineon
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Si el vehículo no está equipado con un sistema de control de velocidad, el sistema de control de velocidad deberá utilizarse para el control de velocidad. |
MOSFET 30V 3.7A MOSFET N-CH doble
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Vishay Semiconductores
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Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos. |
MOSFET 500V de canal N
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Semiconductor Fairchild
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BSC040N10NS5 |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
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Tecnologías Infineon
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FQA46N15 |
MOSFET 150V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FDP51N25 |
MOSFET 250V MOSFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FQP27N25 |
MOSFET 250V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FDMS86104 y sus derivados |
MOSFET 100V MOSFET de transmisión de energía de canal N
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Semiconductor Fairchild
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Se trata de un documento de identificación de la empresa. |
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
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Tecnologías Infineon
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FQPF6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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Semiconductor Fairchild
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El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos. |
FPGA - Matriz de puerta programable de campo 2112 LUT
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Las redes
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El objetivo de la evaluación es evaluar los resultados obtenidos en el marco de la evaluación. |
FPGA - Portón programable de campo 6864 LUTs 207 I/O 3.3V 4 VELECIDAD
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Las redes
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FQP2N60C |
MOSFET 600V Q-FET avanzado de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FQP3P20 |
MOSFET 200V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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FDC2512 |
MOSFET 150V NCh PowerTrench (Tranqueador de energía de la red eléctrica)
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Semiconductor Fairchild
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión. |
MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190 mohms @ 10V
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Vishay Semiconductores
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