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Semiconductores

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la Oficina de Seguridad Aérea.

Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la Oficina de Seguridad Aérea.

FPGA - Puerta programable de campo 640 LUTS 113 E/S
Las redes
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.

FPGA - Portón programable de campo 1280 LUTs 80 I/O 3.3V -6 SPD
Las redes
LCMXO2-7000HC-4TG144C

LCMXO2-7000HC-4TG144C

FPGA - Matriz de puerta programable en campo 6864 LUT 115 I/O 3.3V 4 VELOCIDAD
Las redes
XC6SLX9-2TQG144C

XC6SLX9-2TQG144C

Spartan®-6 LX Arreglo de puerta programable en campo (FPGA) IC 102 589824 9152 144-LQFP
Xilinx Inc.
XCKU040-2FFVA1156I

XCKU040-2FFVA1156I

FPGA - Matriz de puertas programables de campo XCKU040-2FFVA1156I
Xilinx Inc.
SP3223EEY-L/TR

SP3223EEY-L/TR

El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero (TIR) es el sistema de control
MaxLinear, Inc. Es una empresa de servicios de telecomunicaciones.
STR912FAW44X6

STR912FAW44X6

Microcontroladores ARM - MCU 32 MCU 256 96RAM ETHERNET USB CAN
STMicroelectrónica
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Microcontroladores ARM - MCU ARM966E-S MCU de 16 bits
STMicroelectrónica
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Microcontroladores ARM - MCU 256k Flash 32k RAM AES
Los laboratorios de silicio.
MKL15Z64VLH4

MKL15Z64VLH4

Microcontroladores ARM - MCU ARM 32BIT, 64KFLASH
Escala libre / NXP
Se trata de un vehículo de la categoría M1

Se trata de un vehículo de la categoría M1

Microcontroladores ARM - MCU Cortex M0+ Core, USB flexible
Escala libre / NXP
No se puede utilizar.

No se puede utilizar.

Microcontroladores ARM - MCU KINETIS 256KFLEX USB LCD
Escala libre / NXP
MKE02Z64VQH4

MKE02Z64VQH4

Microcontroladores ARM - Microcontroladores MCU BL
Escala libre / NXP
No se puede hacer más de un minuto.

No se puede hacer más de un minuto.

Microcontroladores ARM - MCU K20 1MB
Escala libre / NXP
MK20DN512VMD10

MK20DN512VMD10

Microcontroladores del BRAZO - MCU KINETIS 512K
Escala libre / NXP
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Microcontroladores ARM - MCU Kinetis 2.x 512K
Escala libre / NXP
AT91SAM9G45C-CU-999

AT91SAM9G45C-CU-999

Microcontroladores ARM - MCU BGA Verde, IND TEMP, MRL C
Atmel / Tecnología de microchips
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Microcontroladores ARM - MCU K20 1MB 120Mhz
Escala libre / NXP
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Microcontroladores ARM - MCU de 32 bits
STMicroelectrónica
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades

MOSFET 32 Amperios 500V 0,15 Rds
IXYS
TK4P60DB

TK4P60DB

MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
toshiba
El DMTH6005LK3Q-13

El DMTH6005LK3Q-13

Se aplican las siguientes medidas:
Diodos incorporados
IPP023N10N5

IPP023N10N5

MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3 y otros componentes de los mismos
Tecnologías Infineon
El número de personas a las que se refiere el presente Reglamento es el siguiente:

El número de personas a las que se refiere el presente Reglamento es el siguiente:

MOSFET CANAL N 80V PowerPAK SO-8
Siliciox / Vishay
BSC016N06NS

BSC016N06NS

MOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
Tecnologías Infineon
SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3

MOSFET -20V 4,4mOhm@10V 35A P-Ch G-III
Vishay Semiconductores
NCV8402ADDR2G

NCV8402ADDR2G

MOSFET 42V2A
En el caso de las
FQPF8N60C

FQPF8N60C

MOSFET 600V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
Semiconductor Fairchild
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET de 500V a 1200V MOSFET de potencia polar
IXYS
IPD50N04S4-08

IPD50N04S4-08

MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
Tecnologías Infineon
3LP01M-TL-E: el número de unidades

3LP01M-TL-E: el número de unidades

MOSFET NCH Serie de accionamiento de 1,5 V
En el caso de las
IPA65R660CFD (en inglés)

IPA65R660CFD (en inglés)

MOSFET N-Ch 700V 6A TO220FP CoolMOS CFD2 y otros componentes de la misma
Tecnologías Infineon
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET 74 Amperios 200V 0.034 Rds
IXYS
SI7315DN-T1-GE3

SI7315DN-T1-GE3

MOSFET -150V.315ohm@-10V -8.9A P-Ch T-FET
Vishay Semiconductores
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad.

Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad.

MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1 y sus componentes
Nexperia
BSS84AKS, 115

BSS84AKS, 115

MOSFET P-CH -50 V -160 ma
Nexperia
IRFB7437PBF

IRFB7437PBF

MOSFET 40V 2,0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC
Tecnologías Infineon
Se aplicará a las empresas de servicios de telecomunicaciones de la Unión.

Se aplicará a las empresas de servicios de telecomunicaciones de la Unión.

MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 COOLMOS CP y otros sistemas de transmisión de energía
Tecnologías Infineon
SQ2361ES-T1_GE3

SQ2361ES-T1_GE3

MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Calificado
Siliciox / Vishay
NX3008NBK,215

NX3008NBK,215

MOSFET 30V 400 MA N-CH MOSFET de tramo
Nexperia
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor, el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor será igual al 0,5% en el caso de los vehículos de motor.

Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor, el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor será igual al 0,5% en el caso de los vehículos de motor.

MOSFET -30V 2,6mOhm@10V 60A P-Ch G-III
Vishay Semiconductores
SPP11N80C3

SPP11N80C3

MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 y otros componentes
Tecnologías Infineon
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET 800V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
Semiconductor Fairchild
FCD850N80Z

FCD850N80Z

MOSFET SuperFET2 800V 850mOhm Zener
En el caso de las
FQP6N90C

FQP6N90C

MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
Semiconductor Fairchild
SI4850EY-T1-E3

SI4850EY-T1-E3

MOSFET 60 Voltios 8,5 Amperios 3,3 W
Vishay Semiconductores
FQB9P25TM

FQB9P25TM

MOSFET 250V QFET de canal P
Semiconductor Fairchild
FDMC8884

FDMC8884

MOSFET 30V Fosa de energía de canal N
Semiconductor Fairchild
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V
Vishay Semiconductores
SI3585CDV-T1-GE3

SI3585CDV-T1-GE3

MOSFET 20 Voltios 3,9 Amperios 1,4 vatios
Vishay Semiconductores
345 346 347 348 349