Filtros
Filtros
Semiconductores
Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la Oficina de Seguridad Aérea. |
FPGA - Puerta programable de campo 640 LUTS 113 E/S
|
Las redes
|
|
|
|
![]() |
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
FPGA - Portón programable de campo 1280 LUTs 80 I/O 3.3V -6 SPD
|
Las redes
|
|
|
|
![]() |
LCMXO2-7000HC-4TG144C |
FPGA - Matriz de puerta programable en campo 6864 LUT 115 I/O 3.3V 4 VELOCIDAD
|
Las redes
|
|
|
|
![]() |
XC6SLX9-2TQG144C |
Spartan®-6 LX Arreglo de puerta programable en campo (FPGA) IC 102 589824 9152 144-LQFP
|
Xilinx Inc.
|
|
|
|
![]() |
XCKU040-2FFVA1156I |
FPGA - Matriz de puertas programables de campo XCKU040-2FFVA1156I
|
Xilinx Inc.
|
|
|
|
![]() |
SP3223EEY-L/TR |
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero (TIR) es el sistema de control
|
MaxLinear, Inc. Es una empresa de servicios de telecomunicaciones.
|
|
|
|
![]() |
STR912FAW44X6 |
Microcontroladores ARM - MCU 32 MCU 256 96RAM ETHERNET USB CAN
|
STMicroelectrónica
|
|
|
|
![]() |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Microcontroladores ARM - MCU ARM966E-S MCU de 16 bits
|
STMicroelectrónica
|
|
|
|
![]() |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Microcontroladores ARM - MCU 256k Flash 32k RAM AES
|
Los laboratorios de silicio.
|
|
|
|
![]() |
MKL15Z64VLH4 |
Microcontroladores ARM - MCU ARM 32BIT, 64KFLASH
|
Escala libre / NXP
|
|
|
|
![]() |
Se trata de un vehículo de la categoría M1 |
Microcontroladores ARM - MCU Cortex M0+ Core, USB flexible
|
Escala libre / NXP
|
|
|
|
![]() |
No se puede utilizar. |
Microcontroladores ARM - MCU KINETIS 256KFLEX USB LCD
|
Escala libre / NXP
|
|
|
|
![]() |
MKE02Z64VQH4 |
Microcontroladores ARM - Microcontroladores MCU BL
|
Escala libre / NXP
|
|
|
|
![]() |
No se puede hacer más de un minuto. |
Microcontroladores ARM - MCU K20 1MB
|
Escala libre / NXP
|
|
|
|
![]() |
MK20DN512VMD10 |
Microcontroladores del BRAZO - MCU KINETIS 512K
|
Escala libre / NXP
|
|
|
|
![]() |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Microcontroladores ARM - MCU Kinetis 2.x 512K
|
Escala libre / NXP
|
|
|
|
![]() |
AT91SAM9G45C-CU-999 |
Microcontroladores ARM - MCU BGA Verde, IND TEMP, MRL C
|
Atmel / Tecnología de microchips
|
|
|
|
![]() |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
Microcontroladores ARM - MCU K20 1MB 120Mhz
|
Escala libre / NXP
|
|
|
|
![]() |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Microcontroladores ARM - MCU de 32 bits
|
STMicroelectrónica
|
|
|
|
![]() |
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades |
MOSFET 32 Amperios 500V 0,15 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
![]() |
TK4P60DB |
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
|
toshiba
|
|
|
|
![]() |
El DMTH6005LK3Q-13 |
Se aplican las siguientes medidas:
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
![]() |
IPP023N10N5 |
MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3 y otros componentes de los mismos
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
![]() |
El número de personas a las que se refiere el presente Reglamento es el siguiente: |
MOSFET CANAL N 80V PowerPAK SO-8
|
Siliciox / Vishay
|
|
|
|
![]() |
BSC016N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
![]() |
SI7615ADN-T1-GE3 |
MOSFET -20V 4,4mOhm@10V 35A P-Ch G-III
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
![]() |
NCV8402ADDR2G |
MOSFET 42V2A
|
En el caso de las
|
|
|
|
![]() |
FQPF8N60C |
MOSFET 600V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
![]() |
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET de 500V a 1200V MOSFET de potencia polar
|
IXYS
|
|
|
|
![]() |
IPD50N04S4-08 |
MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
![]() |
3LP01M-TL-E: el número de unidades |
MOSFET NCH Serie de accionamiento de 1,5 V
|
En el caso de las
|
|
|
|
![]() |
IPA65R660CFD (en inglés) |
MOSFET N-Ch 700V 6A TO220FP CoolMOS CFD2 y otros componentes de la misma
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
![]() |
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 74 Amperios 200V 0.034 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
![]() |
SI7315DN-T1-GE3 |
MOSFET -150V.315ohm@-10V -8.9A P-Ch T-FET
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
![]() |
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad. |
MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1 y sus componentes
|
Nexperia
|
|
|
|
![]() |
BSS84AKS, 115 |
MOSFET P-CH -50 V -160 ma
|
Nexperia
|
|
|
|
![]() |
IRFB7437PBF |
MOSFET 40V 2,0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
![]() |
Se aplicará a las empresas de servicios de telecomunicaciones de la Unión. |
MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 COOLMOS CP y otros sistemas de transmisión de energía
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
![]() |
SQ2361ES-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Calificado
|
Siliciox / Vishay
|
|
|
|
![]() |
NX3008NBK,215 |
MOSFET 30V 400 MA N-CH MOSFET de tramo
|
Nexperia
|
|
|
|
![]() |
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor, el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor será igual al 0,5% en el caso de los vehículos de motor. |
MOSFET -30V 2,6mOhm@10V 60A P-Ch G-III
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
![]() |
SPP11N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 y otros componentes
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
![]() |
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 800V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
![]() |
FCD850N80Z |
MOSFET SuperFET2 800V 850mOhm Zener
|
En el caso de las
|
|
|
|
![]() |
FQP6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
![]() |
SI4850EY-T1-E3 |
MOSFET 60 Voltios 8,5 Amperios 3,3 W
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
![]() |
FQB9P25TM |
MOSFET 250V QFET de canal P
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
![]() |
FDMC8884 |
MOSFET 30V Fosa de energía de canal N
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
![]() |
SI4431CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
![]() |
SI3585CDV-T1-GE3 |
MOSFET 20 Voltios 3,9 Amperios 1,4 vatios
|
Vishay Semiconductores
|
|
|