Filtros
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Semiconductores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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El número de unidades de seguridad de la aeronave |
MOSFET 26 Amperios 1200 V
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IXYS
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Se trata de la ATP113-TL-H. |
Dispositivo de conmutación de MOSFET
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En el caso de las
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SUM10250E-GE3 |
MOSFET N Ch 250 Vds 20 Vgs
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Siliciox / Vishay
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 500V 16A: el número de unidades de carga de la unidad de carga
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IXYS
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IRFP064PBF |
MOSFET N-Chan 60V 70 Amp
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Vishay Semiconductores
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SI4532CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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FQA90N15 |
MOSFET 150V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FDA59N30 |
MOSFET del MOSFET 500V NCH
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Semiconductor Fairchild
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FQP22N30: las condiciones de los productos |
MOSFET 300V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FQP4P40 |
MOSFET 400V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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FQP70N10 |
MOSFET 100V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FDMC86260 |
MOSFET NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET el cual se encuentra en el centro de la red
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En el caso de las
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FDMC86139P |
MOSFET PT5 100V/25V Pch Trench de potencia Mosfet
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Semiconductor Fairchild
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Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I. |
MOSFET 800V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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Semiconductor Fairchild
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FQB12P20TM |
MOSFET 200V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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IRF840APBF |
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
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Vishay Semiconductores
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FQT4N20LTF |
MOSFET 200V único
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Semiconductor Fairchild
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SI2307CDS-T1-GE3 |
MOSFET 30V 2.7A 1.8W 88 mohms @ 10V
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Vishay Semiconductores
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NTZD3154NT1G |
MOSFET 20V 540mA con doble canal N y ESD
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En el caso de las
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NX7002BKR |
MOSFET 60V MOSFET de zanja de canal N
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Nexperia
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET doble N-Ch 30V Vds 7.1nC Tipo de Qg
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Siliciox / Vishay
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El número de unidades de producción es: |
MOSFET L2 MOSFET de potencia lineal
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 650V 30A TO220-3 COOLMOS C6
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Tecnologías Infineon
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50%, el valor de las emisiones de CO2 será inferior al 20% en el caso de las emisiones de CO2. |
MOSFET 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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SI1016X-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4,5V
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
MOSFETOS MOSFETOS diferenciados
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Tecnologías Infineon
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IPA60R190C6 y sus derivados |
MOSFET N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6 y otros componentes de la misma
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET MV POWER MOS
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Tecnologías Infineon
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SI7997DP-T1-GE3 |
MOSFET -30V 5,5mOhm@10V 60A P-Ch G-III Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de e
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Vishay Semiconductores
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SIR870ADP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 6.6mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
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Vishay Semiconductores
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FDD8874 y otros |
MOSFET 30V N-Canal PowerTrench
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Semiconductor Fairchild
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IRF520PBF: las empresas de servicios de telecomunicaciones y de telecomunicaciones |
MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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SI4410BDY-T1-E3 |
MOSFET 30V 10A 2.5W
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Vishay Semiconductores
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SI1869DH-T1-E3 |
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en el formu
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Vishay Semiconductores
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BSS84,215 |
MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA, para el cual se utiliza el módulo MOSFET
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Nexperia
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 650V 77.5A TO247-3 COOLMOS C6
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
MOSFETOS MOSFETOS diferenciados
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Tecnologías Infineon
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Ipw65r045c7 |
MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
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Tecnologías Infineon
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FDS4435BZ |
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC, para el cual se utiliza el sistema de transmisión por cable de la unida
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En el caso de las
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FDP20N50 |
MOSFET N-CH 500V 20A hasta 220
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En el caso de las
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IRFP4868PBF |
MOSFET N-CH 300V 70A a 247AC, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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UA9638CDR |
IC SE DOBLA LA LÍNEA DRVR 8-SOIC DE LA DIFERENCIA DEL HS
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Las acciones de Texas Instruments
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SP3232EEY-L/TR |
IC TXRX RS232 ESD 16TSSOP VERDADERO
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MaxLinear, Inc. Es una empresa de servicios de telecomunicaciones.
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2SA1244-Y |
Transistores de potencia PNP de silicio
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toshiba
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En el caso de las personas que se encuentran en una situación de emergencia, se les puede solicitar una ayuda financiera. |
Microcontroladores del BRAZO - MCU KINETIS 512K
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Escala libre / NXP
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STR712FR2T6 |
Microcontroladores ARM - MCU 256K Flash 64K RAM
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STMicroelectrónica
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Reguladores de voltaje de conmutación Regulada bomba de carga negativa
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Maxim integrado
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No se puede utilizar. |
Microcontroladores del BRAZO - MCU KINETIS 512K ETHNET USB
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Escala libre / NXP
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No se puede utilizar. |
Microcontroladores ARM - MCU Kinetis 128K Flex
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Escala libre / NXP
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