Filtros
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Semiconductores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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LCMXO2-4000HC-4MG132I |
FPGA - Matriz de puerta programable de campo 4320 LUT 105 IO 3.3V 4 Spd
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Las redes
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
FPGA - Arreglo de puerta programable en campo 4320 LUT 207 IO 3.3V 4 Spd
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Las redes
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AGLN250V2-CSG81I |
FPGA - Matriz de puertas programables de campo IGLOO
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Las demás
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SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Calificado
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Siliciox / Vishay
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LCMXO2-1200UHC-4FTG256C |
FPGA - Arreglo de puerta programable en campo 1280 LUT, 207 E/S 3.3V, -4 velocidades, COM
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Las redes
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Se aplican las siguientes medidas: |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction de la clase X2
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IXYS
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SI4488DY-T1-E3 |
MOSFET 150V 5A 3,1 W
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Vishay Semiconductores
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IRFS4227TRLPBF |
MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
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Tecnologías Infineon
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SI5515CDC-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4A / 4A N y P-CH MOSFET
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Vishay Semiconductores
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SI7119DN-T1-E3 |
MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05 ohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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IPP65R190CFD |
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 CoolMOS CFD2 y otros componentes de la tecnología
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Tecnologías Infineon
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XC3S500E-4PQG208C |
Los datos de los datos de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en el formulario de solici
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Xilinx Inc.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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SPA20N60C3 |
MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 y otros componentes de la misma
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Tecnologías Infineon
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IRFP4110PBF |
MOSFET MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg y también
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 100V 75A N-Chan PowerTrench (Tranqueador de energía de N-Chan)
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Semiconductor Fairchild
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FQP17N40: las condiciones de los productos |
MOSFET 400V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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STD3PK50Z |
MOSFET P-Ch 500V 3 Ohm 2.8A Zener SuperMESH El sistema de transmisión de energía de la red de la red
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STMicroelectrónica
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BSS138DW-7-F |
MOSFET 50V 200mW
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Diodos incorporados
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BSS138W-7-F |
MOSFET 50V 200mW
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Diodos incorporados
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2N7000TA |
MOSFET 60V de canal N Sm Sig
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Semiconductor Fairchild
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Se aplicará el método de ensayo de la norma de la N-CHAN.
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET -90.0 Amperios -200V 0.044 Rds
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IXYS
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
MOSFET 230A 200V
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IXYS
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Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos. |
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3 para el uso en las instalaciones de las empresas de telecomunicacione
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Tecnologías Infineon
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SI4848DY-T1-GE3 |
MOSFET 150V 3.7A 3.0W 85mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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SI4134DY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 14A 5.0W
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Vishay Semiconductores
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IRF100B201 |
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4,2 mOhm, 170 nC Qg, el cual es el más potente
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IR/Infineon
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SI7336ADP-T1-E3 |
MOSFET 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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SI1902DL-T1-E3 |
MOSFET 20V 0,70A, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
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Vishay Semiconductores
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IRFP460APBF |
MOSFET N-Chan 500V 20 Amp
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Vishay Semiconductores
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Las condiciones de los certificados deberán ser las siguientes: |
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET y sus componentes
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Semiconductor Fairchild
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FDMC7570S: el número de unidad |
MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET y otros sistemas de transmisión de energía
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Semiconductor Fairchild
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FDD6688 |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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Semiconductor Fairchild
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IRF540PBF |
MOSFET N-Chan 100V 28 Amp
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Vishay Semiconductores
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FDS4465 |
MOSFET SO-8
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Semiconductor Fairchild
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FDS6298 y demás |
MOSFET 30V N-CH conmutador rápido PwrTrenCH MOSFET
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Semiconductor Fairchild
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BSC010N04LS |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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Tecnologías Infineon
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea |
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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FDS6576: las condiciones de los productos |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC y sus componentes
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En el caso de las
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FQP50N06 |
MOSFET N-CH 60V 50A hasta 220
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En el caso de las
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IRFS7530TRLPBF |
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
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Tecnologías Infineon
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de pruebas de ensayo. |
FPGA - Matriz de puertas programables de campo 19K LUTs 140 SERDES DSP -6
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Las redes
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5CEBA4F17C7N |
FPGA - Puerta programable de campo FPGA - Ciclón V E 1848 LABs 128 IO
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Altera/Intel
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Las condiciones de los productos de la categoría 1 se aplicarán a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo. |
FPGA - Matriz de puertas programables de campo
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Altera/Intel
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. |
FPGA - Matriz de puertas programables de campo ECP5 FPGA 25K LUTs, 381 caBGA
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Las redes
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A3PN010-QNG48: las condiciones de las operaciones de los Estados miembros. |
FPGA - Matriz de puertas programables de campo ProASIC3
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Las demás
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La información que se proporciona para la evaluación de la calidad de los productos incluye los siguientes datos: |
FPGA - Portón programable de campo 6K LUTs 90 I/O DSP 1.2V -5
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Las redes
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
FPGA - Portón programable de campo 2112 LUTs 207 IO 3.3V 4 Spd
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Las redes
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