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Semiconductores
Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
Microcontroladores ARM - MCU MAC7121 sin bus 16CH A/D
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Escala libre / NXP
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SPC560D40L3C4E0X |
Microcontroladores ARM - MCU MID MICROCONTROLLER
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STMicroelectrónica
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En el caso de las personas que se encuentran en el centro de la ciudad, el número de personas que se encuentran en el centro de la ciudad es el siguiente: |
Microcontroladores ARM - MCU KINETIS 512K USB
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Escala libre / NXP
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MKE02Z64VLD4R |
Microcontroladores ARM - Microcontroladores MCU BL
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Escala libre / NXP
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Se aplicará el método de ensayo de los datos. |
Microcontroladores ARM - MCU 32KB Flash 4KB RAM
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Los laboratorios de silicio.
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SI7540DP-T1-E3 |
MOSFET N- y P-CANAL 30V
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Vishay Semiconductores
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 32 Amperios 500V 0,15 Rds
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IXYS
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IXTH13N110 |
MOSFET 13 Amperios 1100V 0,92 Rds
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IXYS
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El número de unidades de producción |
Se aplicará el método de ensayo de los datos.
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 600V 64A: el número de unidades de energía de la unidad
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 30 Amperios 1000V 0,35 Rds
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IXYS
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2SK1058-E. El número de la autoridad competente |
MOSFET Potencia MOSFET
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Renesas Electrónica
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FQP20N06L |
MOSFET 60V N-Canal QFET Nivel lógico
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Semiconductor Fairchild
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NX1029X, 115 |
MOSFET 60/50V, 330/170 mA MOSFET de zanja N/P-ch
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Nexperia
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II. |
MOSFET de doble canal N
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Diodos incorporados
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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad. |
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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DMP1045U-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS y otros
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Diodos incorporados
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IPW60R037P7 |
MOSFET ALTO POWER_NEW
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 20V MOSFET de canal de trincheras en P
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Nexperia
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Las condiciones de los vehículos de las categorías M1 y M2 no se aplicarán. |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 COOLMOS C3
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Tecnologías Infineon
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FDMC86102 |
MOSFET 100 / 20V N-Chan PowerTrench (Tranqueo de energía de N-Chan)
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Semiconductor Fairchild
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Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes: |
MOSFET de potencia MOSFET - CoolMOS
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Las demás
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TPH1400ANH,L1Q: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
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toshiba
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IRF7103TRPBF |
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de l
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Tecnologías Infineon
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FDC637AN |
MOSFET SSOT-6 N-CH 20 V
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Semiconductor Fairchild
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Rds rojo
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2 y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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IPB180N04S4-H0 |
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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IRF9540NSTRRPBF (en inglés) |
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 117 mOhms 64.7nC
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Tecnologías Infineon
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Los servicios de la Oficina de Asuntos Exteriores |
MOSFET N Canal FET 250V, 360mA
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Circuitos integrados IXYS
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en el anexo I. |
MOSFET 40V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH
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Vishay Semiconductores
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IRF7342TRPBF |
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de l
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IR/Infineon
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FDG6332C |
MOSFET 20V Fosa de energía de canal N&P
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En el caso de las
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será inferior al 0,9%. |
MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
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Vishay Semiconductores
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Si el producto no es compatible con la norma ISO 7638:2003, se utilizará el método siguiente: |
MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 20A N-Ch G-IV
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Vishay Semiconductores
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al valor de las emisiones de CO2. |
MOSFET 8.0V 1.34A 0.236W 86mohm @ 4.5V
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Vishay Semiconductores
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IRFBC40PBF |
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
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Vishay Semiconductores
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SI9926CDY-T1-GE3 |
MOSFET 20V 8.0A 3.1W 18mohm @ 4.5V
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Vishay Semiconductores
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MTI85W100GC: el número de unidades |
MOSFET Puente completo de 3 fases con MOSFETs de zanja
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IXYS
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FDS6680AS: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B |
MOSFET 30V N-Canal PowerTrench SyncFET, el cual tiene una potencia de 30 V
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Semiconductor Fairchild
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SI9435BDY-T1-E3 |
MOSFET 30V 5.7A 0.042 Ohm, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de luz
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Vishay Semiconductores
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ZXMP4A16GTA |
MOSFET 40V P-Chnl UMOS
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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IRL7486MTRPBF |
Solo canal N HEXFET del MOSFET 40V
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IR/Infineon
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SPW32N50C3 |
MOSFET N-Ch 560V 32A TO247-3 COOLMOS C3 y otros componentes de la misma
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Tecnologías Infineon
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FCH76N60NF |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS y otros productos de la industria de la energía
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Semiconductor Fairchild
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de lo |
MOSFET N-Chan 600V 27 Amp
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Vishay Semiconductores
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IPW65R080CFD |
MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2 y otros componentes de la tecnología de la información
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Tecnologías Infineon
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IPW60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3 COOLMOS C6
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos. |
MOSFET N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6 y otros dispositivos de la misma clase
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Tecnologías Infineon
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