Filtros
Filtros
Semiconductores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDA50N50 |
MOSFET del MOSFET 500V NCH
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
FDPF18N20FT |
MOSFET UniFET 200 V
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
FDD86540 |
MOSFET 60V 50A 4.1 ohm NCh PowerTrench MOSFET
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
BSC014N04LS |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
SIA906EDJ-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4.5A 7.8W 46mohm @ 4.5V
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 |
MOSFET -30V 45mOhm@10V -4.8A P-Ch G-III y otros componentes de los mismos
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
el PMV213SN,215 |
Se aplicará el método de ensayo de la TEP13 PWR-MOS
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BSS138PS, 115 |
MOSFET N-CH 60 V y 320 mA
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BSC014N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
FDY1002PZ |
MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
MCP2561T-E/SN |
IC TXRX PUEDE 8SOIC
|
Tecnología de microchips
|
|
|
|
|
|
FDMB3800N |
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FDD8424H |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
IRF7341TRPBF |
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
LAN8742A-CZ-TR |
IC TXRX ETHERNET 100MBPS 24QFN
|
Tecnología de microchips
|
|
|
|
|
|
FDS89161 |
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
TRS3232EQPWRQ1 |
Los datos de los registros de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de l
|
Las acciones de Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
FDMQ8403 |
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP, para el cual se utiliza el módulo 4N-CH
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
DMN26D0UDJ-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
DMG1024UV-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
DMC3021LSD-13 |
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
FDS9926A |
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
IRF7317TRPBF |
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC y sus componentes
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
MAX3051ESA+T |
IC TXRX PUEDE 1MBPS 8-SOIC
|
Maxim integrado
|
|
|
|
|
|
MAX3051ESA+ |
IC TXRX PUEDE 1MBPS 8-SOIC
|
Maxim integrado
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
El IC TXRX RS485/RS422 LOWPWR 8SOIC se utilizará en el caso de las máquinas de la categoría M2 y M3.
|
Maxim integrado
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
IC TXRX RS485/RS422 14-SOIC
|
Maxim integrado
|
|
|
|
|
|
NTHD4102PT1G |
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
KSZ8041TLI |
IC ETHERNET PHY IND 48-TQFP y sus componentes
|
Tecnología de microchips
|
|
|
|
|
|
DMP3036SSD-13 |
MOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
FDS6898AZ |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FDMS3660S: el número de unidad |
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN y el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
KSZ8001L |
IC TXRX PHY 10/100 3.3V 48-LQFP
|
Tecnología de microchips
|
|
|
|
|
|
KSZ9021RN |
IC TXRX 10/100/1000 SGL 48QFN
|
Tecnología de microchips
|
|
|
|
|
|
IRF7380TRPBF |
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
FDS4935A |
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
DMC2400UV-7 |
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
DMG6601LVT-7 |
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
NTJD4152PT1G |
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
NDC7002N |
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
DMN5L06DWK-7 |
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
DMN3135LVT-7 |
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
DMP3085LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
IC TXRX RS232/485/422 32QFN
|
MaxLinear, Inc. Es una empresa de servicios de telecomunicaciones.
|
|
|
|
|
|
MAX3160EEAP+ |
IC TXRX RS232/485/422 20SSOP y otros sistemas de control de las emisiones
|
Maxim integrado
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL y el resto de los componentes
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
SP491EEN-L/TR |
IC TXRX RS485 DUPLX LLENO 14SOIC
|
MaxLinear, Inc. Es una empresa de servicios de telecomunicaciones.
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los datos de los datos de los Estados miembros se transmitirán a las autoridades competentes de los
|
MaxLinear, Inc. Es una empresa de servicios de telecomunicaciones.
|
|
|